台积电 7 纳米 SRAM 早打赢三星,预告 5 纳米制程要来了!

2015-12-06 17:05:06来源: technews
   
台积电与英特尔、三星的先进製程竞赛依旧打得火热,10 奈米以下製程成为半导体三雄间的竞逐场,三星虽于 11 月中抢先发表 10 奈米 FinFET 製程生产的 SRAM(静态随机存取记忆体),看似抢先台积电与三星,不过,台积电 3 日透露,早已成功以 7 奈米製程产出 SRAM,而且预告 5 奈米也要来了!
 
台积电于 3 日举办第十五届供应链管理论坛,台积电总经理暨共同执行长刘德音表示,库存调整已近尾声,2016 有望恢复成长,台积明年将比今年更好,与先前自家董事长张忠谋的说法一致,刘德音对台积电先进製程进度也透露更多的讯息。
 
在 16 奈米製程,台积电先前推出比 FinFET Plus 更低功耗的 FFC 製程,主打低阶智慧手机与物联网等领域,刘德音昨 3 日指出,目前已设计定案(tape-out)的有 27 个,估计 2016 年达到 100 个,16 奈米从原本高阶市场主力,进一步拓展到中低阶市场,刘德音预估 16 奈米市佔的扩展,将成为明年营收优于去年的重要动能。
 
对于三星于 11 月中宣布已运用 10 奈米 FinFET 生产出 SRAM(静态随机存取记忆体),刘德音透露,台积电已经成功以 7 奈米製程产出 SRAM,10 奈米将在 2016 年初试产、7 奈米则有望于 2017 年第一季试产,与今年 9 月台积电技术长孙元成,参与美国圣塔克拉拉举行的创新平台论坛所言进度相同。
 
据孙元成当时说法,10 奈米在 2016 年底或 2017 年初将进入量产阶段,若依此转进进度,10 奈米阶段台积将有望超车英特尔,英特尔执行长 Brian Krzanich 在今年第二季法说会上坦承,下世代(10 奈米)製程,大约到 2017 年下半才会推出。三星则在今年 6 月正式将 10 奈米 FinFET 製程纳入开发路图(Roadmap),估计 10 奈米在 2016 年底、2017 年初全面投产,与台积电时间差不多。
 
值得关注的是,刘德音在昨 3 日的论坛向供应链伙伴预告,该开始准备 5 奈米了!虽未对相关时程多做说明,但也令外界相当期待,然而在 10 奈米以下製程微缩已经来到光学微影解析的极限,台积电年初透露在 10 奈米製程有部分光罩将採用极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV )微影技术进行曝光,大摩 3 月份发表的报告也指出, EUV 将是台积电能否在 10 奈米以下製程超车的关键。

关键字:台积电  SRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/1206/article_46319.html
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