三星超车台积电、英特尔,抢头香推10纳米SRAM

2015-11-19 08:19:02来源: 精实新闻
    三星周三宣布,独立领先业界运用10奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程生产SRAM(静态随机存取记忆体),意谓着三星10奈米制程技术或许已经超越台积电(2330),甚至连晶片龙头英特尔(Intel)都被三星超车。

SRAM速度比DRAM快,常被当作中央处理器(CPU)的快取记忆体,藉以提高CPU存取效率。台积电与英特尔在SRAM制程技术上目前还分别停留在16与14奈米。

三星成功开发新世代SRAM,也代表其处理器制程工艺进阶至10奈米的过程相当顺利,估计有望在2017年初进入全面量产,将使三星争抢处理器代工订单占得有利位置。(ETnews.com)

与14奈米SRAM相比,10奈米可将128MB记忆体单位储存面积缩小37.5%,配合10奈米打造的处理器,不仅运算效能加快且占用空间更小。三星希望明年底将10奈米完成商业化。

另外,三星还同时将平面NAND快闪记忆体制程技术从16奈米推进至14奈米,将可降低生产成本、改善营利率。东芝、美光目前还停留在15-16奈米制程阶段,并认为这是平面NAND记忆体工艺的极致,之后将朝3D堆叠发展。不过在三星做出突破后,或许平面NAND还有进一步延展的可能。

关键字:三星  台积电  英特尔  10纳米SRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/1119/article_45796.html
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