高通发表Quick Charge 3.0快充技术

2015-09-16 12:52:58来源: 工商时报
    
高通发表Quick Charge 3.0快充技术。(取自Androidauthority)
高通(Qualcomm)稍早前在2015 Qualcomm 3G/LTE高峰会中,除发表了Snapdragon 430、Snapdragon 617处理器外,也宣布新一代快充技术─Quick Charge 3.0,以及支援的处理器晶片。搭载高通最新快充技术的处理器晶片的终端设备,预料将会在明年初上市,届时入手新手机的朋友,就将能享有更便利的行动生活。

据高通的说法,Quick Charge 3.0,首度采用Intelligent Negotiation for Optimum Voltage(INOV)演算法,不仅能在任意时刻实现最佳传输功率,且将效率最大化。使用Quick Charge 3.0的设备,大约能在35分钟之内,将手机电量从0充电到80%,而不具备这项技术的设备,大约需要一个半小时,对于有时会忘记充电,或是非常忙碌、需要快速充电功能的使用者来说,将会是一大福音。

Quick Charge 2.0提供了5V、9V、12V、20V四种充电电压,而Quick Charge 3.0则是以200mV为单位,提供从3.6V到20V电压的选项,使用上更为灵活。能让充电的手机获得恰到好处的电压,并达到预期充电电流,提高充电效率,并改善散热上的表现。

Quick Charge 3.0相较于先前版本来看,充电速度是Quick Charge 1.0版的2倍;相较于Quick Charge 2.0,充电速度最快提高27%、或最高可减少功耗达45%。Quick Charge可相容之前的版本以及充电器。

根据高通的说明,首批支援Quick Charge 3.0技术的晶片包含Snapdragon 820、620、618、617以及430。采用这些晶片的手机,最快预计将在明年初推出。(中时电子报)

关键字:高通  Quick  Charge

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0916/article_44718.html
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