Intel的RAM、ROM情结

2015-08-12 12:34:34来源: CTIMES
     很久以前,在Andy Grove主导Intel的时代,Intel的DRAM业务因日本DRAM(如NEC,之后成为Elpida)的大举进攻而亏损,最后被迫关闭该业务,全心转型、聚焦发展CPU。



但DRAM与PC息息相关,如果DRAM过慢,CPU快也没用,整体PC效能还是慢,若DRAM涨价,PC厂也让新出厂的PC少配置一点DRAM,DRAM少的结果,为了让PC整体效能批配,也会减少购买较高效能的CPU,Intel的收益也会减少。所以,Intel曾入股Micron,期望有些DRAM产供上的调控影响,以确保高阶CPU的销售。

虽然关闭自身DRAM业务,但Intel对RAM的规格标准走向仍具高影响性,为了让RAM快,Intel运用其PC晶片组高市占率,使PC从FPM RAM升级成EDO RAM,进一步升级成绘图工作站用的SDRAM(成为主流大宗,随后成为DDR/DDR2/DDR3/DDR4等),但之后引领进入RDRAM失败,更之后引进FB-DIMM也失败,Intel失去对RAM的影响力。

过去Intel能引领RAM走向,在于多数生产出的RAM都用于PC,Intel对PC具有掌控权,但后期的RAM越来越多用于绘图卡、行动装置,衍生出GDDR SDRAM、Mobile DRAM,加上JEDEC组织逐渐健全壮大,单一业者已难影响RAM走向,需要JEDEC成员的共识。

Intel仍在PC、伺服器领域有高市占率,在FB-DIMM失败后,近年来转拥抱Micron提出的HMC(Hybrid Memory Cube),目前在高效能运算上似有初步成效,若可行将逐步推展至一般伺服器。

RAM的价格、效能会影响PC整体效能,但硬碟也会,Intel无法影响硬碟供应链,但也看出随时带演变,用NAND Flash取代硬碟的趋势日增,因而投入SSD业务。

NAND Flash属非挥发性记忆体,断电后资料仍能记忆,过去Intel发明过EPROM,且曾是Intel的摇钱树业务,但随着EEPROM、Flash的出现EPROM已绝迹,而NAND Flash为产业主流趋势确立后,于2008年把自家的NOR Flash业务转手给Numonyx,事实上在更早的2006年,Intel就与Micron合作,合资成立IM Flash以进入NAND Flash市场,在当时已属晚进入,NAND Flash的主导业者为Toshiba、Samsung、SanDisk等。

Intel也曾在2005年提出Rubson技术、2006年提出ONFI介面,试图左右NAND Flash的发展,或至少左右在PC上运用NAND Flash的方式,但都不如预期,Intel自身也发展相变记忆体(Phase-Change Memory, PCM),期望PCM取代硬碟、NAND Flash,有助提升整体PC效能,但PCM一直无法商业化。

到了2015年7月,Intel与Micron共同发表3D XPoint记忆体,宣称是自1989年NAND Flash提出以来,再一次的非挥发性记忆体的技术变革,目标依然在超越现有Toshiba、Samsung主导的NAND Flash。

对于3D XPoint,目前看法相当分歧,多数人认为它最终会跟PCM一样无法商业化,也有人认为这真的是过往未曾有过的新架构,也有人说它只是旧瓶装新酒,是另一种作法的ReRAM(可变电阻式记忆体)等。

Intel仍试图进入或左右RAM、ROM,但动机不再是同步拉升PC效能以确保高阶CPU销售,Intel位居半导体产业第一位,过去的第二位曾有Motorola、NEC等,但盘据第二位最久的劲敌为Samsung,Samsung多年前即想进入处理器市场,2002年曾代工生产Alpha晶片,可惜Alpha电脑系统式微,Samsung是从iPhone处理器代工开始站稳脚步(更之前是以大优惠方式供应NAND Flash而打入Apple供应链),所以Intel对RAM、ROM技术与业务的看法,也带有竞争回击意味。

除了与Samsung竞争外,Intel另一个必须掌握RAM、ROM的理由,在于PC逐渐式微,Intel与过往被Intel击败的CPU厂商一样(VIA/IDT/Cyrix、AMD等),试图让CPU在嵌入式市场有所发展,以维持销售,甚至以新兴的穿戴式、物联网概念为名来转向。

另外,Intel也想发展晶圆代工,与台积电争抢生意,也在进入嵌入式市场后发现FPGA应用越来越重要,想进入FPGA领域(另一则是FPGA在台积电的产能占比中越来越高),因而为Altera代工生产FPGA,更之后购并Altera(2015年6月),然此已属另一话题。

关键字:Inte  RAM  ROM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0812/article_44220.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
Inte
RAM
ROM

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved