瑞萨电子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM

2015-07-31 11:55:00来源: EEWORLD 关键字:超低功耗SRAM  瑞萨电子  CMOS
抗软失效能力为全CMOS型存储单元的500多倍
待机电流降低50%,有助于延长备用电池使用寿命
 
    2015年7月22日,日本东京讯——全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日推出了两个全新的超低功耗SRAM(超LP SRAM)系列——低功耗SRAM领域的领先产品,能够为工厂自动化(FA)、工业设备、智能电网等应用提供更出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110纳米制造工艺,融合了创新的存储单元技术,不仅大幅提升了可靠性,同时也有助于延长电池的工作时间。
 
    近来,业内对用户系统安全性和可靠性的要求日渐提高,而SRAM作为存储系统程序和财务交易数据等重要信息的载体,必须具备高水平的可靠性。因此,如何减少因阿尔法辐射和宇宙中子辐射造成的软失效(注释1)成为了一项重点课题。通常情况下,解决这一问题的处理方式是在SRAM或用户系统中加入内部纠错(ECC)电路。但ECC电路的纠错能力具有一定的局限性,例如:可能无法同时纠正多个位元的错误
 
    瑞萨的超LP SRAM的存储器单元采用其独有技术,抗软失效能力(注释2)是传统全CMOS型存储单元(注释3)的500多倍,使其成为了对可靠性具有高要求的应用领域的理想之选,包括工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、工业设备以及消费电子设备、办公设备和通讯设备等诸多其他应用领域。
 
    全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特点如下:
 
(1) 采用瑞萨独有的超LP SRAM技术,大幅提升了抗软失效能力,实现了更良好的可靠性
 
    在瑞萨超LP SRAM的结构方面,存储单元中的每个存储节点(注释5)都结合了堆叠电容(注释4)技术,从根本上预防了软失效的出现(注释6)。此外,每个SRAM单元的负载晶体管(P沟道)为多晶硅薄膜晶体管(TFT)(注释7),堆叠于硅基板的N沟道MOS晶体管之上。在硅基板下方仅形成N沟道晶体管,这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管,并从理论上杜绝闩锁效应(注释8)。因此,对于需要严格保证高水平可靠性的应用环境(如:工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、交通系统、工业设备等)而言,超LP SRAM可谓理想之选。
 
(2) 待机电流比上一代产品降低了50%以上,有助于延长备用电池使用寿命
 
    全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb产品的待机电流仅为0.5 µA(典型值),32 Mb产品(注释9)的待机电流仅为1 µA(典型值)。新产品的电流消耗水平比瑞萨先前推出的同类SRAM产品(注释10)降低了50%以上,有效延长了备用电池的使用寿命。保存数据时的最低电源电压为1.5 V,低于先前瑞萨同类产品的2.0 V。
 
(3) 封装选项
 
    16 Mb RMLV1616A系列提供三个封装选项:48球FBGA、48管脚TSOP(I)及52管脚µTSOP (II),客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引脚的FBGA封装。
 
    有关全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要规格,请参见单独的说明页(PDF: 85 KB)。
 
定价和供货
 
    RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的样品将于9月发布,定价根据存储容量而有所不同。例如,16 Mb RMLV1616A系列的单价为16.5美元,32 Mb RMWV3216A系列的单价为31美元。上述两个系列

关键字:超低功耗SRAM  瑞萨电子  CMOS

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