GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺

2015-07-14 12:39:15来源: 快科技 关键字:GlobalFoundries
    GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台,全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管, 目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一阵放弃了,14nm索性直接借用三星的。

尽管如此,GF 22nm FD-SOI工艺也是有一些独特优势的,虽然无法制造高性能芯片,但也很适合移动计算、IoT物联网射频联网、网络基础架构等领域。
GlobalFoundries宣称,该工艺功耗比28nm HKMG降低了70%,芯片面积比28nm Bulk缩小了20%,光刻层比FinFET工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm低了20%,而且功耗超低,电压可以做到业界最低的0.4V,并可通过软件控制晶体管电压,还集成了RF射频,功耗降低最多50%。
甚至,它可以提供类似FinFET工艺的性能。
GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产,为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持,将会采纳。

关键字:GlobalFoundries

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0714/article_43593.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:顺为资本完成10亿美元基金 将主投智能硬件
下一篇:传紫光向美光发230亿美元收购邀约

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved