GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺

2015-07-14 12:39:15来源: 快科技
    GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台,全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管, 目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一阵放弃了,14nm索性直接借用三星的。

尽管如此,GF 22nm FD-SOI工艺也是有一些独特优势的,虽然无法制造高性能芯片,但也很适合移动计算、IoT物联网射频联网、网络基础架构等领域。
GlobalFoundries宣称,该工艺功耗比28nm HKMG降低了70%,芯片面积比28nm Bulk缩小了20%,光刻层比FinFET工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm低了20%,而且功耗超低,电压可以做到业界最低的0.4V,并可通过软件控制晶体管电压,还集成了RF射频,功耗降低最多50%。
甚至,它可以提供类似FinFET工艺的性能。
GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产,为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持,将会采纳。

关键字:GlobalFoundries

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0714/article_43593.html
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