联电14纳米 明年试产

2015-06-23 12:36:19来源: 经济日报
    联电(2303)14奈米先进制程生态系统成军,安谋(ARM)及新思(Synopsys)均助阵,加入联电14奈米鳍式场效电晶体(FinFET)合作夥伴。联电表示,14奈米已有128Mb SRAM产品良率产生,预定今年底接受客户设计定案(tape out),明年底试产。

联电虽在先进制程落后台积电,但推进到14奈米制程,包括相关矽智财等生态体系逐步成形,联电昨天与安谋和新思同步宣布共同拓展成为14奈米FinFET的合作夥伴。

联电宣布,以安谋Cortex-A系列处理器为核心架构的核心测试晶片(PQV)已透过联电的14奈米完成设计定案,代表安谋Cortex-A 系列处理器核心通过联电高阶制程验证。

联电表示,与安谋在14奈米的合作案,是延续自双方成功将安谋Artisan实体IP整合至联电28奈米高介电金属闸极(HKMG)制程。

联电强调完成14奈米FinFET制程技术验证,是联电启动其他IP 生态系统的第一步,包括基础IP矽智财(foundation IP)和安谋处理器实体设计。

联电也表示,第二个14奈米PQV测试晶片将纳入新思DesignWare嵌入式记忆体IP,与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。

透过新思的合作,可让联电微调14奈米FinFET制程,实现最佳化的功耗,效能与位面积表现,展现联电加速推动14 FinFET的决心。

关键字:联电  14纳米

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0623/article_43137.html
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