DRAM成为中国重点发展目标,新存储技术不可忽略

2015-06-18 08:51:51来源: EEWORLD
大陆发展DRAM策略,整合最快3~7年
 
    TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,中国发展DRAM策略方案已呼之欲出,技术来源、研发团队与IP是关键亦是挑战,预计相关软硬件的整合最快需要3~7年。
 
    自2014年10月14日中国工信部宣布国家积体电路产业投资基金(中国简称大基金)成立,挟带着1300亿人民币基金,中国政府正有计划的向全世界吸纳可用资源,展开并购计划与策略结盟。中国工信部电子信息司司长丁文武主导的半导体小组,对于中国DRAM未来的发展已有明确的方向,同时遴选了半导体相关的顶尖业界人士担当评审委员,跳脱传统的政治评估,各地方政府拥有的技术、人力、财力及资源才是入选的重要考量点。
 
    DRAMeXchange 表示,中国DRAM研发与发展团队正式成军,将牵动着中国半导体相关公司间的策略结盟与高层异动,也带动具群聚效应的半导体业者往中国靠拢。目前已经呼之 欲出的方案,是以既有的半导体基地、公司为发展基础,结合中国具相关经验的高阶干部,结盟相关中国半导体公司与IC设计公司。而与三大DRAM厂洽谈合作 机会的方针也持续进行中。
 
    DRAMeXchange表示,中国政府挟带丰沛资金与广大市场宣示进军全球半导体产业,DRAM产业将是中国 进入半导体的重要目标;但业界先进如三星、SK海力士与美光在DRAM业界耕耘已久,众多的IP智财亦形成了门槛极高的竞争壁垒。由于缺乏DRAM三大阵 营的技术来源与相关生产经验,藉由并购并取得IP成了中国进军DRAM领域最快的敲门砖。去年的英特尔与展讯的模式就是一例,一者提供技术支援、一者在中 国本土市场有先占优势,互相合作可望带来加乘效果。今年6月11日,中国武岳峰资本以每股21美元,高于另家美国半导体公司赛普拉斯的原先报价20.25 美元夺回美国上市的芯成半导体,亦可看出中国政府对于取得IP智财提升DRAM领域技术竞争力的重要性。
 
    至于拥有丰富半导体经验与技术的台湾,也是中国争取合作的对象,各省市负责高层频频来台亲自拜会相关公司,看中的就是台湾在全球的研发团队在研发实力与国际接轨能力,更不排除从台湾等地招募有经验的DRAM团队。
 
    DRAMeXchange 表示,发展DRAM产业已经是中国既定的政策,能否找到技术合作的伙伴、有丰富经验的团队与IP智财的取得,将是未来中国半导体计画能否成功,甚至加速量 产的关键。不同于NAND Flash产品,即使品质不好亦有低阶产品可以使用,DRAM产品不论容量大小都不容许任何错误,如果技术到位,中国将先切入技术较容易的标准型记忆体与 利基型记忆体,再进军近年成长快速的Mobile DRAM,软硬体的整合预估最快需要3~7年,初期首重中国内需市场,并以全球市场为目标推进。
 
大陆DRAM厂落脚武汉!左拉美光海力士、右挖台湾人才墙角
 
    DRAM产业同被视为中国大陆重点扶植项目之一,台面上有中国武岳峰资本收购美国半导体公司ISSI ,台面下左与国际大厂谈技术合作、右挖台湾人才墙角,台湾竞争威胁加剧,最重要的人力资产也正在流失。
 
    据悉,中国积极发展 DRAM 产业,将选择一个省市设置本土DRAM厂,近日科技新报取得进一步消息,据中国业内人士表示,DRAM厂最终将落户武汉,并由武汉新芯集成电路负责DRAM厂设厂事宜,消息来源进一步透露,新厂将由上海中芯国际营运长赵海军所主导,回溯历史,2006年武汉新芯建厂之时,武汉市政府曾委托中芯国际代管,也让这项传闻更加耐人寻味。
 
    而可能挑动台湾敏感神经的是赵海军的背景,赵海军在入 主中芯之前,为台湾 DRAM 厂茂德技术发展暨产品本部兼大中华事业部副总裁,在中国发展半导体用人孔急当下,大挖台湾人才、团队的消息已不是新闻,据悉,中国已与前茂德团队接洽,同 样被视为挖角目标的还有台湾瑞晶团队与华亚科、南亚科人才,然目前仍在洽谈还未有更多细节流出。
 
    以过往状况来看,中国挖角给薪并不手 软,2012 年京东方、华星光电等中国面板厂就以 3~4 倍薪水挖角台湾面板人才,除了重金,股票也成了诱因,据联合晚报 2014 年 10 月披露的消息,中国半导体大厂以年薪 250 万、150~200 万未上市股权,约联发科工程师两倍的条件抢人。
 
    中国发展 DRAM 的难点一为人才二就是技术,除了大挖台湾人才,传出目前中国也循展讯与英特尔合作模式与美光、SK 海力士洽谈技术合作,据悉后者表示具高度兴趣。
 
    中国发展 DRAM 渐渐在人才、技术寻求突破点,即便影响可能在 3~5 年之后,但当此时台湾重要的人才资产流失、未来技术优势可能也不再明显,能靠什么与中国拚搏?红潮进逼台厂警铃大响,如何化危机为转机,端看台湾政府与厂商的智慧了。
 
不过DRAM微缩到顶!新存储器MRAMReRAM等接班?
 
    DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体”(MRAM)、“可变电阻式记忆体”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。
 
    韩媒BusinessKorea 16日报导,南韩半导体业者指出,16奈米将是DRAM微缩制程的最后极限,10奈米以下制程需要缩小电晶体体积,但是薄膜厚度却无法缩减,也可能不适合 采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待,认为可以取代DRAM和NAND Flash,业者正全力研发。
 
    两种新记忆体都是非挥发性记忆体,切断电源后资料也不会消失,速度比现行记忆体快上数十倍到数百倍之多,由于内部构造较为简单,理论上未来微缩制程也有较大 发展空间。其中MRAM采用磁阻效应(Magnetoresistance)技术,研发业者有SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)。ReRAM则靠着绝缘体的电阻变化,区别0和1,外界认为或许能取代NAND型快闪记忆体(NAND Flash)。
 
    日经新闻2014年1月1日报导,东芝(Toshiba)将携手南韩海力士(SK Hynix)预定2016年度量产大幅提高智慧型手机性能的次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”,量产时间将比美国美光科技(Micron Technology)所计画的 2018 年提前了约2年时间。
 
    MRAM研发可分为三大阵营,除了上述的东芝/SK海力士之外,三星电子也正进行研发,而美光则和东京威力科创(Tokyo Electron)等20家以上日美半导体相关企业进行合作,希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划 2018年透过美光子公司尔必达(Elpida)的广岛工厂进行量产。
 
    Market Realist去年4月28日报导,美光科技(Micron Technology)和Sony在国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上表示,正透过27奈米制程,开发16-Gbit的ReRAM;Sony预定2015年量产ReRAM晶片。专家表示,三星 (Samsung)应该也在研发包括ReRAM的次世代储存科技。

关键字:DRAM  存储器  MRAM  ReRAM

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0618/article_43040.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
DRAM
存储器
MRAM
ReRAM

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved