Intel撑腰、展讯芯片将采14纳米FinFET

2015-05-28 12:40:14来源: 精实新闻
     联发科(2454)、台积电(2330)小心了!中国手机晶片厂展讯(Spreadtrum)获得英特尔(Intel)加持后如虎添翼,高层放话明年发布的行动晶片将找英特尔代工,采用14奈米FinFET制程。


EETimes 27日报导,展讯执行长李力游(Leo Li)接受EETimes专访透露,展讯2016年推出的高低阶行动晶片都计画采用英特尔的14奈米FinFET制程。展讯的行动晶片原本由台积电代工。

不仅如此,原本外界猜测,展讯可能会因英特尔入股,放弃ARM架构,投向英特尔怀抱。然而李力游坚称,除非英特尔技术具有竞争力,不然展讯没有义务改用英特尔架构晶片,英特尔不能强迫他们。双方协议没有载明,展讯未来的行动晶片须放弃ARM架构,改采英特尔技术,暗示展讯仍会使用ARM架构晶片,与联发科竞争。

李力游强调,展讯对英特尔技术仍有兴趣,将使用英特尔行动晶片SoPHIA测试客户反应,要是SoPHIA评价不错,他们会考虑使用。EETimes指出,展讯推说需测试客户反应,感觉似乎无意替英特尔晶片大力背书。今年底展讯将发布8核心的系统单晶片(SoC),会继续采用ARM架构,并采用台积电的16奈米制程。

去年秋天英特尔砸下15亿美元入股清华紫光集团(Tsinghua Unigroup),取得旗下展讯和锐迪科(RDA Microelectronics)的20%股权。

若展讯真的找英特尔代工生产,未来还可能会采10奈米制程。俄罗斯科技网站Mustapekka.fi独家拿到的英特尔(Intel)2013年-2016年计画时程,英特尔打算在明年第3季发表采用10奈米制程技术的“Cannonlake”处理器,而14奈米的Skylake架构系列处理器则会如期在今年第4季问世。

韩联社2月中报导,三星表示自家的Exynos 7处理器将率先采用14奈米FinFET制程。三星新机皇Galaxy S6采用Exynos 7八核心处理器。与目前市场主流的20奈米相比,三星14奈米的三维设计能耗减少35%,但效能却加快20%。

霸荣香港分部记者Shuli Ren去年报导,英特尔入股目的或许并非想要寻求产能或扩充专利,而是为了避免面临大陆的反垄断调查。德意志银行分析师Jessica Chang去年9月23日研究报指出,高通(Qualcomm)、展讯对大陆行动晶片市场的竞争变得愈来愈积极,联发科面临的压力与日俱增。该证券并指出,高通对中国大陆的业务经营已经变得更有经验,同时也花费更多力气满足大陆对LTE的需求,本次更抢在联发科之前推出解决方案。

关键字:Intel  FinFET

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0528/article_42390.html
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