IDT/EPC携手研发GaN 探索无线充电/射频新应用

2015-05-28 10:39:17来源: 新电子
IDT/宜普电源转换公司(EPC)将同共拓展氮化镓(GaN)新商机。两间公司将联手发展氮化镓技术,并结合EPC的eGaN技术和IDT的解决方案,以将氮化镓技术拓展至无线充电射频(RF)和通讯等创新应用领域。

IDT全球经营副总裁兼技术长Sailesh Chittipeddi表示,氮化镓可发展更高性能、更有区隔性的产品,同时IDT看好EPC的氮化镓功率管理技术,期待双方可共同研发以氮化镓为基础的产品,也希望藉新产品拓展未来的市场。

氮化镓是近年来功率半导体材料的新趋势,与之前的矽元件相比,因其技术尚不如矽元件成熟,加上成本较高,目前商业化尚不普遍,但因其具有高速、高效率和耐高温等特性,过去已应用于发光二极体(LED)、射频和高温微波领域,如今业界则试图研究此新兴半导体材料尚可应用于哪些领域。

现今IDT和EPC将针对氮化镓技术,朝无线充电、射频和通讯三领域发展。在无线充电方面,无线充电标准联盟(A4WP)的无线充电标准运行于6.78MHz频段,而氮化镓具有高速、低损耗开关能力,因此于此频段仍具高效率,未来此两间公司将结合专业氮化镓技术和相关解决方案,来实现高效能、具成本竞争力的无线充电解决方案。

另外,在通讯和计算基础设施方面,氮化镓的低电容和零反向恢复电荷(QRR)特性,加上它的晶片尺寸封装(CSP)优势,促进氮化镓即使处在高频仍具高效率性能,未来亦透过其高效率性能,结合IDT精确通讯和系统专业知识,以提升其功率密度,并实现其在通讯和计算基础设施的竞争优势。

关键字:GaN  无线充电

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0528/article_42385.html
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