三星10nm 拚明年底量产

2015-05-25 12:53:35来源: 工商时报 关键字:三星  10nm
    
台积电三星FinFET制程比较
半导体市场第2季需求明显趋缓,但国际半导体设备材料产业协会(SEMI)公布2015年4月份北美半导体设备订单及出货金额,却同步攀上近3年新高,其中有2个主要原因,一是记忆体厂力拚20奈米DRAM制程微缩及3D NAND扩产;二是晶圆代工厂10奈米制程竞赛正式开打。

台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程已进入量产阶段,虽然进度上落后三星14奈米FinFET制程,但台积电信心满满,认为第3季产能快速拉升后,明年将可夺回14/16奈米FinFET制程市场占有率,且加计20奈米的市占率将在明年远远超过竞争对手。

为了避免先进制程推进速度落后对手的情况再度发生,台积电今年拉高资本支出逾100亿美元,全力投入10奈米FinFET制程的研发,预计今年底就可开始试产,接受客户的产品设计定案(tape-out),明年底将进入量产。虽然台积电10奈米进度仍落后半导体市场龙头英特尔,但已明显拉进双方的技术差距。

不过,三星也非省油的灯,根据外电报导,三星在美国举办的会议中,宣布10奈米FinFET制程将在明年底全面投产,时间点与台积电大致相同。三星晶圆代工部门副总裁Hong Hao表示,三星10奈米制程在功耗、晶片尺寸、效能上都有很大的优势。

为了对抗台积电,三星的14奈米布局也加速进行,与晶圆代工厂格罗方德进行策略联盟。三星位于韩国的2座晶圆厂、位于美国奥斯汀的12寸厂、以及格罗方德位于美国纽约州的晶圆厂,都已导入14奈米制程并开始生产。

台积电10奈米面临三星的挑战,已有许多不一样的投资布局,包括今年进行矽智财验证程序,且已完成35件设计工具的验证,同时也将率先在部份光罩上导入新一代的极紫外光(EUV)微影技术。此外,台积电也提供客户后段封测代工服务,在先进封装开发出的整合扇出型(InFO)技术已开始验证16奈米产品,预计明年量产,第二代InFO将应用在10奈米世代。

关键字:三星  10nm

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0525/article_42285.html
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