2016年3D V-NAND市场扩大10倍 三星拉大与后起业者差距

2015-04-29 12:35:19来源: Digitimes
    在存储器芯片市场上,垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大,全球企业间的竞争也将渐趋激烈。
 
据韩国MT News报导,2016年前3D V-NAND市场规模预估将扩大10倍,而除目前独占市场的三星电子(Samsung Electronics)外,也将有更多半导体厂加速生产V-NAND。三星独大V-NAND市场,为拉大与后起业者的差距,生产产品将从目前的32层堆叠结构,增加到48层。
 
外电引用市调机构IHS iSuppli资料指出,以NAND Flash的技术分类,V-NAND占比将从第2季2.9%,在年底提升到7.4%,2016年第4季时预估将增加到29.6%,在1年半的时间内扩大约10倍。
 
V-NAND市场迅速成长,2017年将挤下目前占市场比重97%平面TLC或MLC NAND Flash,以41.2%成为主要产品。2019年V-NAND将以77.2%市占率掌握市场。因技术难度高,目前V-NAND虽然只应用在伺服器用产品等高阶市场,但未来将会迅速往移动装置用市场扩散。
 
3D V-NAND比起平面NAND,处理速度快2倍、耐久性快10倍、生产效益高2倍、耗电量也减少一半。TLC更容易实现高容量化,且重量和体积都大幅缩减。目前三星和日系大厂东芝(Toshiba)都有生产TLC NAND,而V-NAND市场则由三星独占。
 
V-NAND市场规模扩大,半导体大厂也加速展开移动。继三星之后,NAND Flash市场二哥东芝计划在2015年下半投入48层堆叠V NAND生产。美光(Micron)和英特尔(Intel)决定携手共同研发3D NAND,三星日前则公开较128Gb TLC容量提高3倍的384Gb TLC技术。
 
SK海力士(SK Hynix)计划2015年第3季开始生产36层堆叠MLC V-NAND。2014年底SK海力士完成研发24层结构V-NAND技术,在2015年底将推出48层TLC V-NAND,正式加入V-NAND竞局。
 
三星2013年8月成功生产24层结构MLC V-NAND,领先全球开启3D NAND市场后,2014年10月开始量产32层128Gb TLC V-NAND。三星为生产48层产品,已完成相当的准备作业。在最终检验完成后,将较其他竞争企业提早6~7个月,投入48层TLC V-NAND量产。
 
东芝等半导体大厂正展开追即,然三星暂时可维持技术差距。韩国半导体业者表示,技术研发、样品生产等与实际投入量产时差很大。在量产前一刻若发现问题,将使计划推迟一段时间,因此要到其他半导体大厂投入生产,才能看出其追击能力。
 
另一方面,正逐渐取代传统硬碟(HDD)的固态硬碟(SSD),也将扩大搭载3D V-NAND。报导称,2015年V-NAND SSD占市场比重约2~3%,之后将持续扩大,2017年17~19%、2018年31~35%、2019年45~55%等。
 
三星2014年在SSD市场的占有率以34%位居第一,与市占率17%、排名第二名的英特尔差距达2倍。韩国半导体业者表示,在V-NAND技术方面三星较为领先,在SSD市场上可能也将持续占有优势。

关键字:2016  3D  V-NAND

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0429/article_41654.html
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