东芝传年内量产3D Flash、技术更胜三星

2015-03-26 11:16:10来源: 互联网 关键字:东芝  3D  Flash
    三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)产品,但三星的领先优势恐维持不了多久,因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!
 
    日本媒体产经新闻25日报导,三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层,但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层,且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂开始量产上述48层架构的3D NAND Flash产品。NAND flash多用于智慧机、平板等行动装置,电源关闭后,储存内容也不会消失。
 
    报导指出,东芝所将量产的3D NAND Flash产品记忆容量较现行产品呈现大幅度提高、且也将超越三星的产品。据报导,三星于去年量产的3D NAND Flash产品传出不良率偏高、且获利不佳,而东芝虽面临同样的问题,但因已确立了生产技术、故已决定进行样品出货。
 
    据报导,东芝和三星皆计划于数年内研发出容量达1Tb(Tera bit;1Tb=1,000Gb)的3D NAND Flash产品,而一旦实现,就可在智慧手机储存高达数十小时的4K影片。
 
    根据市调机构TrendForce公布的资料显示,2014年第四季三星NAND Flash全球市占率为27.9%、稳居首位,其次分别为东芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。

关键字:东芝  3D  Flash

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0326/article_40897.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:存储器失去半导体领头地位 逻辑IC制程起而代之
下一篇:英特尔将联合美光科技开发1TB闪存

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
东芝
3D
Flash

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved