三星过渡到LPDDR4和UFS 2.0的意义:释放重量级应用的潜力

2015-03-18 13:33:36来源: 互联网
      本月早些时候,我们曾对采用了Exynos 7420处理器Galaxy 6系新机和其它竞争机型进行了跑分和评比。不过Galaxy S6和S6 Edge还有其它杀手锏,比如全新的LPDDR4内存、以及符合USF 2.0标准的闪存。作为eMMC 5.0 / 5.1标准的继任者,UFS 2.0内置存储带给我们的最直观感受(除了快),还有允许同时读/写、能够对输入命令按照优先级排序,同时尽快地执行。
 
    就算对数据任务进行安排的功能有些“无关紧要”,但是顺序读写速度的提升还是相当可观的,尤其在处理大文件的时候(高清视频、无损音频、以及大量游戏)。
 
    由于三星的新闪存如此给力,以至于我们同时迎来了一款全新的评比软件,它就是AndroBench。
 
    上面就是跑分结果,Galaxy S6毫无悬念的全程大幅领先。
 
    当然,基准测试并不能反映实际使用体验,比如处理日常任务的时候,大部分人几乎都是体会不到差别的。但如果你更侧重于重型媒体应用,那么UFS 2.0相对于eMMC 5.0标准的读写优势就全面爆发了。
    说完了UFS 2.0闪存,我们再来看看Galaxy S6上的LPDDR4内存(高通骁龙810也配备支持LPDDR4内存)。
 
    与闪存不同,内存的主要任务并不是储存大量永久性的文件,而是临时存放系统或应用程序所需要处理调度的文件。
 
    与LPDDR3相比,LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大,“内存敏感型”的应用程序的体验也将直接受益——比如游戏、120fps的慢动作视频、以及2K或4K级别的视频录制。
 
    Galaxy S6选用了频率高达1552MHz的LPDDR4内存,就算它沿用前一代Exynos芯片的32位双通道芯片设计,其带宽也达到了24.8GB/s。
 
    相比之下,搭配LPDDR3内存的骁龙801,其带宽为12.8GB/s;而Exynos 5433则是13.2GB/s。
 
    最后,在提升了速度的同时,LPDDR4还将电压降低到了1.1V(LPDDR3为1.2V),在智能机续航仍然不够给力的情况下,节能特性亦尤为重要。

关键字:LPDDR4  UFS  2

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2015/0318/article_40780.html
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