加入RRAM开发战线,Sony与Micron共同发表新成果

2014-12-25 09:33:51来源: VR-Zone

    新世代的NVRAM开发逐渐进入火热阶段。

    继Crossbar在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)发表了他们在电阻式记忆体(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后,Sony 也与合作夥伴 Micron 发表了自 2011年首度公开RRAM 试作品后的最新试作品结果。

    在RRAM的合作关系中,Sony 与 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技术,Micron 则是目前记忆体制造业的大厂。在今年的 ISSCC 2014 研讨会中,先是公布 16Gbit RRAM 的电路技术,紧接着在数日前的 IDEM 2014 中,发表装置本体的制作。在此之前两家厂商在次世代记忆体的发展是各有歧异的,Sony 在 2011 ISSCC 中发表了 4Mb 的 RRAM 试作品,而 Micron 则是钻研相变式记忆体(PCM、PRAM)并且将 128Mb PRAM 商业化,但自此之后就无提升容量的后续动作。


    这次 Sony 与 Micron 合作的样品,方向上是以 “非挥发式 DRAM” 来制作,相比于待机时仍要继续耗电的挥发性 DRAM,由于非挥发性的特性可以将电力完全关闭,因此在越来越讲求能耗的的现在具有一定的吸引力。

    实际上试做的产品也是朝向这样的方向前进,16Gb 样品有着单一颗晶片可以 2GB容量,适合电脑主记忆体的意味存在。成品的设计则是直接做成一般 DDR 介面的样子,可以直接替换 DDR SDRAM;制造技术的部份,使用 27nm CMOS 制程,三层金属配线、记忆体 Cell Size 大约在 6F^2(F 单位意指半导体的 Design Rule,通常指制程的金属线宽),种种的特性都与目前较先进的记忆体制造制程类似。另外目前 RRAM 并没有任何的量产纪录,因此能否直接已高容量密度的设计直接量产会是可能的障碍,而同样的制造成本能否与现在的 DRAM 匹敌,种种因素的拉扯或许也是初期样品选择 16Gb 的因素。

    这次Sony与Micron发表的 Cell 设计,是以一个记忆单元搭配上一个身兼 Selector 的 MOS 组合,记忆单元的的组合结构,是以高位 CuTe 薄膜、绝缘薄膜与低位电极材料组合而成,是 Sony 早先开发结果的延续。

    Sony与Micron同时发表了实际测试的结果与 ISSCC 当时发表论文的性能预测比较,读取性能在 900MB/s 左右,写入则是 180MB/s ,与当初论文的设计预测结果相当接近,从这点看起来,继续发展而至商品化的可能性相当高。

 

关键字:RRAM  Sony  Micron

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/1225/article_39113.html
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