彻底干掉NAND闪存!RRAM来袭

2014-12-24 09:05:21来源: 比特网

   NAND闪存已经成为固态存储的现行标准,并且正在向3D立体堆叠和更新工艺迈进,不过它也存在诸多问题,尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短,TLC格式也引发了诸多质疑,因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。

  这其中最有希望的就是电阻式RAM(简称RRAM),三星、闪迪等巨头都在投入,但走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。

  Crossbar成立于2010年,总部位于加州生克拉拉,已融资5000多万美元。公司的很多创业人员都来自密歇根大学,首席科学家、联合创始人Wei Lu(卢伟)就是那里的副教授。团队现有40-45人,大多都有深厚的半导体研发背景。

关键字:NAND  RAM

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/1224/article_39095.html
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