Vishay的新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品的功耗

2014-10-21 17:27:55来源: EEWORLD

    新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V电压和±8V VGS下实现35mΩ导通电阻。

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和高端笔记本电脑中减少功耗并延长电池使用时间的新款功率MOSFET---Si8457DB。新的芯片级MICRO FOOT® P沟道Si8457DB在1.8V极驱动下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET当中最低的导通电阻,也是唯一VGS 达到±8V的此类器件,为锂离子电池供电的应用提供了额外的安全裕量。

    Si8457DB可在电源管理应用中用作电池开关和负载开关,在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为19mΩ、23.4mΩ和35mΩ。与采用DFN 1.6mm方形封装的最接近器件相比,该器件的1.8V导通电压减小了17%。器件可以在最低-1.8V下导通,加上±8V VGS,为大多数锂离子电池供电的应用提供了安全裕量、灵活的栅极驱动设计和高性能。

    Si8457DB能够在业内率先实现如此性能,要归功于极低的单位面积导通电阻,使器件在节省空间的同时还能够降低移动应用的电池功耗。器件的低导通电阻意味着在直流电压和脉冲峰值电流下的压降非常低,以热的形式浪费掉的电能更少。器件可在-1.8V下导通,简化了诸如适应低电池电压或IC负载拉低栅源电压等情况的设计工作。

    Si8457DB是移动电源管理的高效负载开关中的关键组成模块。作为P沟道MOSFET,Si8457DB具有明显的优势,在电路里不需要电荷泵就能够开启导通,能直接与各种电源里的大量电源管理和控制IC配合工作。

关键字:Si8457DB  MOSFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/1021/article_37765.html
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