NAND Flash厂 Q4产能大火并

2014-10-20 13:10:59来源: 工商时报
    间:2014年10月20日 06:12

近1年来128Gb NAND Flash晶片平均价格变化

三星宣布推叠32层的128Gb 3D V-NAND进入量产,为全球四大阵营3D NAND军备竞赛揭开序幕。图为三星V-NAND晶片及固态硬碟。图/三星电子提供

四大NAND Flash厂的2D/3D NAND技术一览
NAND Flash明年将是杀戮战场?由于全球最大NAND Flash厂三星电子西安厂正式投产,并宣布开始量产128Gb 3D V-NAND晶片,东芝及新帝(SanDisk)联军为了维持市占率,已决定加快日本Fab5第2期量产,而SK海力士、美光、英特尔等也开始拉高产能因应激烈竞争。NAND Flash厂军备竞赛在第4季全面开打,业界对明年市况感到忧心,供过于求问题恐导致跌价幅度大于今年。

今年上半年NAND Flash市场已是供过于求,由供给端来看,三星、SK海力士、东芝、美光等19/20奈米制程良率已达成熟阶段,且投片量重新来到新高纪录。但由需求端来看,上半年高阶智慧型手机及平板销售动能低迷,中低阶智慧型手机虽然买气不弱,但搭载eMMC/eMCP容量在16GB以下。总体来看,上半年就是因为供过于求,导致价格连续2季快速下滑,跌幅已逾3成。

第3季因为进入苹果iPhone及iPad的拉货旺季,今年苹果拉高NAND Flash容量至128GB,的确让NAND Flash价格止跌回升,但只是昙花一现,由于三星西安厂在第3季进入量产,东芝及新帝合资的Fab5第2期也在9月落成启用,加上SK海力士去年因无锡厂大火而将M12产能转为DRAM,也在第3季回复NAND Flash投片。所以随着产能在9月陆续开出,价格开始松动,进入第4季后因为是传统淡季,10月以来价格跌幅已见扩大。

模组业者表示,三星西安厂第4季月投片量拉高到3.5~4万片,东芝Fab5第2期正在快速增产,SK海力士M12将月投片量拉高到近5万片规模,第4季及明年第1季NAND Flash产能快速放大。但需求面来看,固态硬碟(SSD)销售动能趋缓,只靠苹果推出的iPhone及iPad,其实并无法去化新增的产能,供过于求压力将由今年第4季延续到明年上半年。

NAND Flash厂除了扩产,制程微缩速度也正在加快,三星、东芝、SK海力士的16奈米制程已在第4季全面量产,明年还会转进1znm世代,包括三星14奈米、东芝12奈米、SK海力士13奈米、美光15奈米等,都会在明年上半年进入全产能量产。再者,各厂积极布局的3D NAND,明年也会开始陆续进入量产。

以主流的128Gb NAND MLC晶片价格来看,自去年10月至今的一年中,平均价格已由12美元快速跌至目前的7美元左右,而上游晶片厂军备竞赛加剧,业界对NAND Flash市场看法愈趋保守,明年价格跌势恐大于今年。

关键字:NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/1020/article_37727.html
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