扬帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

2014-09-29 22:49:32来源: 集微网
  历经六年的开发时间,DDR4终于踏上征程,扬帆起航。

近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3,开始支持时钟频率达2133MHz的DDR4存储器,这表明在PC、服务器平台叱咤风云多年的DDR3进入世代交替的阶段。

其实英特尔的这个出乎意料的举动还满反常的,因为这异于其以往处理器支持新规格存储器的步调──通常先针对PC平台、再针对服务器平台。但目前英特尔仅在第三季才刚推出的高阶桌上型PC处理器当中(Core i7-5820K、i7-5930K、i7-5960X极致版),支持DDR4,而不是等到DDR4在PC、笔电产品全面普及后,再让服务器平台开始采用。但支持DDR4的这一大特色,却大大增强了英特尔Xeon E5-2600 v3平台整体的存储器存取频宽效能和用电效率。根据英特尔的测试数据显示,在这两项评比标的上,新品皆可比前一代Xeon E5-2600系列提升50%。

 

“更高性能,更低功耗”是DDR4的最大特点。追溯到2010年,在日本东京举行的MemCon 2010大会上,US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍说,DDR4内存的时钟频率初步设定在2133~4266MHz之间,是DDR3的两倍,数据传输速度将比DDR3快一倍。DDR4的工作电压仅1.2V,比DDR3的1.5V低了至少20%,也比DDR3L的1.35V还低,甚至还可能会有1.05V的超低压节能版,功耗更低。

2009年2月,三星电子确认40纳米制程的DRAM芯片已成功流片,成为DDR4发展的关键一步。2011年1月,三星电子宣布完成历史上第一款DDR4 DRAM的开发,容量为2GB,DRAM模块,采用30纳米制程工艺制造了首批样品,时钟频率为2133MHz,工作电压只有1.2V,凭借新的电路架构最高可达3200MHz,使用了漏极开路技术比同规格DDR3节能40%。2012年8月在ISSCC上,三星电子展出基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造,单颗容量为4Gbit,设定工作电压为1.2V,实际工作的电压仅为1.14V,测定传输速度为3.3Gbps(DDR4-3300)。

2014年4月SK Hynix(海力士)宣布成功开发出全世界第一款容量高达128GB的新一代DDR4 DRAM,2xnm工艺制造,使用了TSV立体堆叠技术。时钟频率为2133MHz,工作电压也是1.2V,面向服务器领域,可用于英特尔Xeon E5-2600 v3,预计2015年上半年投入量产。

2014年8月三星开始量产基于TSV 3D堆叠技术的DDR4 DRAM。据三星介绍,这是全球首款使用3D TSV DDR4 SDRAM的内存模块。已开始量产的RDIMM的容量为64GB,适用于企业级服务器及云数据中心等。这款RDIMM配备了36个DDR4 SDRAM芯片,每个芯片由4块4Gbit的DDR4 SDRAM裸片堆叠而成(每个芯片的容量为2GB),裸片之间通过TSV连接,使用20nm工艺制造。市场预料DDR4将与DDR3(DDR3L、LP-DDR3)等共存一段时间,预计到2016年将超越DDR3成为市场主流。

在服务器领域,可以说DDR4是极大的推进者,升级的意义远大于其他平台。因为它们对于性能的提升、功耗的降低、制程的精细、计算密度的提升和扩展性的进一步扩充,都有着更高的要求,势必带来服务器的新一轮升级换代。

近日澜起科技刚刚宣布其DDR4内存接口套片已成功通过英特尔公司的认证,完全支持基于英特尔Xeon E5-2600 v3系列的服务器平台。澜起科技成为亚洲第一家,国内唯一一家通过英特尔公司认证的企业。

澜起的DDR4内存接口套片包含DDR4寄存器(RCD)芯片和DDR4数据缓冲器(DB)芯片,可用于DDR4 寄存式双列直插内存模块(RDIMM)和低负载的寄存式双列直插内存模块(LRDIMM)。这个套片的设计完全遵循最新的JEDEC DDR4规范,采用创新的系统存架构和独特的低功耗技术,使新一代的DDR4内存系统拥有更高的数据率和更低的功耗,为发展迅猛的数据中心和云计算市场提供了高性能、高容量、低能耗的内存解决方案。

 

目前,澜起的DDR4内存接口套片已经被广泛应用到世界一流的服务器OEM厂商和DRAM厂商的DDR4 RDIMM和LRDIMM产品上,这些产品已顺利通过了基于Intel Xeon Processor E5-2600 v3服务器平台的严格验证,展现出优秀的性能和良好的兼容性。

今年DDR4开始升温,逐渐取代DDR3用于企业重负荷机器和任务关键型的服务器系统。据集微网了解到,在DDR3时代,用于服务器的内存接口芯片的容量仅为50%~60%,为了提高速度加入更多存储器,DDR4时代的内存接口芯片的容量将会达到90%,两年后这一市场容量将达到10亿美金。作为亚洲唯一一家通过英特尔认证的企业,澜起科技在内存接口领域的地位不容小视。服务器和存储市场每5~6年将发生一次内存技术的变革,表明DDR4的生命周期将延续至2020年。

2014年7月31日澜起科技与上海浦东科技投资有限公司达成每股普通股22.60美元私有化协议,交易总价值约为6.93亿美元。iSuppli半导体首席分析师顾文军表示,随着大数据和信息安全的重要性越来越被认可,澜起科技的价值会越来越大,“现在提去IOE化,如果忽略了IOE后面的芯片,只是换汤不换药”。今年一季度,内存接口芯片在澜起科技营收中的占比已经从去年全年的15%上升到25%。

9月26日英特尔刚刚宣布90亿元人民币入股紫光集团,顾文军表示英特尔曾投资过澜起科技,未来英特尔是否会投资私有化后的澜起科技?这一问题值得思考。

关键字:DRAM  新一代  DDR4

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0929/article_37253.html
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