海思量产,台积16纳米超前三星英特尔

2014-09-28 15:19:53来源: 经济日报
  台积电最近助海思半导体成功产出全球首颗以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)的安谋(ARM)架构网通处理器,设备厂透露,这项成就宣告台积电16纳米在面临三星及英特尔进逼下,已取得压倒性胜利。

此外,台积电也正式向英特尔宣战,目标是二年内在10纳米晶体管技术追平英特尔,届时在芯片闸密度及金属层连结等二要项都超越英特尔,将让台积电称冠全球,并奠定全球晶圆代工不可撼动的地位。

台积电的这项成就,是昨天出席台积电高雄气爆感恩与祝福餐会的半导体设备厂所透露,针对台积电宣布全球首颗16纳米产品完成产品设计(tape-out)后,点出台积电在16纳米FinFET的重要成果。

不愿具名的设备商指出,台积电为海思成功产出的全球首颗以16纳米生产、功能完备的网通处理器,等于宣告海思具备可以提供自家集团华为的核心处理器。

华为目前是向英特尔采购以22纳米制程的网通处理器,台积电与海思的合作,也代表中国大陆已具备自主生产高阶网通处理器的地位,对英特尔带来一定程度的威胁。

对台积电而言,台积电也用实例,向英特尔证明台积电16纳米FinFET制程,并未如先前英特尔唱衰在芯片闸密度比英特尔还低30%,台积电不但在20纳米就已超越英特尔,16纳米FinFET更大幅领先。

此外,面对三星先前一直强调16纳米FinFET远远领先台积电,台积电率先提出产出成功案例,回击三星的口水战,等于左打英特尔,右踢三星,台积电有信心在16纳米FinFET会取得压倒性胜利。

半导体人士强调,半导体评断技术实力,看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度,后二者台积电都已超越英特尔,一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔,台积电将可正式跃居全球半导体新霸主地位,为台湾缔造新的历史地位。

关键字:海思  台积  三星英特尔

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0928/article_37194.html
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