借力台积电,海思推16nm网络处理器

2014-09-26 12:23:00来源: 新电子
  海思半导体采用台积电16FinFET制程,成功产出首颗以鳍式场效电晶体(FinFET)制程和安谋国际(ARM)架构为基础的网通处理器,除可大幅提升运算效能外,更支援次世代虚拟化网路应用。
海思半导体总裁何庭波表示,在台积电FinFET技术及CoWoS解决方案的支援下,海思得以率先产出以FinFET制程及ARMv8架构为基础的32核心ARM Cortex-A57网通处理器,运算速度可达2.6GHz,效能亦较前一代处理器增快三倍,且能支援虚拟化、软体定义网路(SDN)及网路功能虚拟化(NFV)应用的下一世代基地台、路由器及其他网通设备。

藉由台积电的16FinFET制程,海思半导体开发出具效能与功耗优势的全新处理器,以支援高阶网通应用产品。海思同时也采用台积电经过生产验证且能整合多元技术晶片的CoWoS 3D积体电路(IC)封装技术,能有效整合16奈米(nm)逻辑晶片与28奈米输入/输出(I/O)晶片,提供具成本效益的系统解决方案。

据了解,台积电的16FinFET制程能够显着改善速度与功率,并且降低漏电流,有效克服先进系统单晶片(SoC)技术微缩时所产生的关键障碍。相较于台积电的28奈米高效能行动运算(28HPM)制程,16FinFET制程的晶片闸密度增加两倍,在相同功耗下速度增快逾40%,或在相同速度下功耗降低逾60%。

台积电总经理暨共同执行长刘德音表示,台积电在FinFET领域的研发已经超过10年,因而能缔造上述成果。台积电将发挥FinFET技术的最大效益,并在先进制程IC制造领域,继续保持长期领先地位的纪录。

台积电的16FinFET制程早于2013年11月即完成所有可靠性验证,具备理想良率并进入试产阶段,为台积电与客户的产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。

关键字:台积电  海思

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0926/article_37149.html
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