2Q南韩存储器产业:产值创历史新高 3Q营运可望再成长

2014-08-09 15:27:28来源: DIGITIMES
  三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)2014年第2季DRAM与NAND Flash出货量皆超乎其上季预期,使南韩整体记忆体产值不仅持续较前季成长,再度突破10兆韩元大关,更超越2010年第3季新高记录10.5兆韩元,站上10.73兆韩元(约105亿美元)。

三星第2季DRAM出货量较上季增加20%左右,DRAM市场价格表现又优于NAND Flash,相反地,SK海力士对NAND Flash倚重度提升,使SK海力士整体记忆体营收降至三星记忆体事业的55%,较前季减少2.6个百分点。而三星DRAM出货量大增,也使南韩DRAM产值占记忆体比重创2011年第1季以来新高。

获利方面,DIGITIMES Research认为SK海力士为拉升NAND Flash出货量,不惜压低报价,为其营益率略低于前季的主因。三星则受非记忆体事业部亏损扩大拖累,使其半导体事业营益率不仅持续低于SK海力士,且双方差距较前季略微扩大。

展望2014年第3季,DIGITIMES Research认为无论PC、智慧型手机及平板电脑需求皆将增温,将带动上游记忆体拉货需求,加上记忆体合约价可望上扬,南韩记忆体厂商营运较前季成长的机率大。

2Q’13~2Q’14南韩记忆体产值变化

注:为三星与SK海力士记忆体事业营收加总。 
资料来源:三星电子、SK海力士,DIGITIMES整理,2014/8

关键字:南韩存储器  产值

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0809/article_35834.html
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