获高通及联发科订单,联电28nm向前冲

2014-06-13 10:13:27来源: 工商时报
    晶圆代工二哥联电(2303)28奈米高介电金属闸极(HKMG)制程良率获得重大突破,顺利拿下高通联发科订单,将成下半年成长主要动能。

  为了拉近与龙头台积电(2330)间的差距,联电14奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程将于明年上半年开始试产,10奈米世代将加入由IBM主导的通用平台(Common Platform)联盟,与三星、格罗方德(GlobalFoundries)共同合作开发。

  联电昨(11)日召开股东常会,通过配发0.5元现金股利及私募案,董事长洪嘉聪除了强调私募案绝对不会折价发行的立场,也表示28奈米多晶矽氮氧化矽(Poly SiON)及HKMG制程良率显著提升,且在14奈米以下制程开发上,联电延续2012年与IBM签订的授权协议,在10奈米世代加入IBM技术开发联盟。

  联电5月营收达119.3亿元改写历史新高,财务长刘启东表示,第2季产能利用率逼近9成,8寸厂产能全线满载,其中LCD驱动IC产能更是供不应求。联电台湾地区8寸厂扩产空间有限,苏州和舰则将在本季将月产能由4.4万片提升到4.8~5万片,也不排除透过并购方式扩产,至于第3季营运表现看来将会比第2季更好。

  法人预估,联电第2季营收季增率将介于12~14%间,毛利率25%目标也会达阵,以此推估,联电第2季获利将有机会上看37~40亿元,较第1季成长超过2倍,每股净利将赚逾0.3元。

  联电今年第2季行动装置晶片接单强劲,40奈米接单全满,28奈米HKMG制程因良率上有明显突破,也传出获得高通、联发科等手机晶片代工订单。而联电不评论接单情况,但刘启东表示,28奈米第2季营收占比将达1%,第4季会达5%,HKMG制程接单将成主流。

  台积电今年全力冲刺20奈米产能,明年则转进16奈米FinFET制程世代。联电因为28奈米明显落后,所以决定跳过20奈米,直接转进与IBM合作的14奈米FinFET制程,预估明年上半年开始试产。同时,联电南科12寸厂Fab12A的第5期将在明年下半年开出产能。

  联电也决定在10奈米世代加入IBM主导的通用平台,将与IBM、三星,以及格罗方德共同研发10奈米技术,以缩减与台积电间的技术差距。

关键字:高通  联发科  联电28nm

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0613/article_34237.html
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