海思完成TD-LTE终端芯片CA测试 峰值下行速率220M

2014-05-20 13:06:29来源: C114中国通信网
    深圳市海思半导体有限公司日前宣布,已携手华为完成了TD-LTE工作组在工业和信息化部电信研究院MTNet进行的TD-LTE-Advanced技术试验终端芯片载波聚合(CA)测试。此次测试使用了海思自主研发第三代LTE调制解调器芯片Balong720,以及华为的SingleRAN设备。Balong720采用了业界领先的28nmHPM先进工艺,支持3GPP Rel10协议标准,TD-LTE支持双载波40MHz频宽的载波聚合(Carrier Aggregation),实测峰值下行速率达到220Mbps,这也是业界首款支持LTE Cat6的终端芯片解决方案。此次测试的顺利完成显示了海思在TD-LTE终端芯片领域的持续大力投入及由此带来的领先地位。

中国作为全球最大的移动通信市场,在TD-LTE产业发展进程中发挥了主导作用。在工业和信息化部的指导下,由工信部电信研究院和中国移动联合产业链各个环节的主要国内外厂家组成的TD-LTE工作组于2008年开始正式成立,先后组织实施了TD-LTE单厂商室内功能测试、性能测试、外场测试、多厂商多制式网络与芯片和终端的互操作(IOT)测试以及TD-LTE规模试验工作。目前,TD-LTE产业链已日趋成熟,主设备、芯片、终端、仪表等多厂家齐头并进。在全球范围内,这是为数不多的由政府、运营商、设备制造商、科研单位等各方联合推进关键产业成熟的成功案例。

自2008年以来,海思积极配合TD-LTE工作组,参与了TD-LTE标准和策略研究、试验与测试评估、产业布局与推进、国际交流合作等多方面工作。

2009年10月海思推出业界首款支持TD-LTE的多模终端芯片Balong700,在2010年世博会期间引起参观者极大兴趣的即摄即传业务,就是由基于该款芯片的CPE支持的。

2011年10月,海思首家完成与多个系统设备厂家的Uu IO室内测试及外场规模试验测试,有力推动TD-LTE测试验证工作进入一个新的阶段。

2012年6月海思又发布业界首款支持LTE Cat4的5模终端芯片,在20MHz频宽内提供150Mbps的下行速率,已经广泛应用于中国移动及全球领先的运营商。

海思无线终端芯片业务部总裁胡波表示:“测试的成功迈出了支持TD-LTE-Advanced商用的第一步。海思将与业界合作伙伴紧密合作,促进TD-LTE更快、更高、更强地发展。”。此外Balong720还支持FDD 载波聚合,40MHz×2对称频宽支持高达300Mbps的下行速率。

自2012年10月世界上第一张LTE-Advanced网络在莫斯科启用以来,LTE-Advanced已经成为全球范围的技术热点。FDD领先运营商,诸如英国EE、科威尔Zain、韩国LG U+,都开始了LTE-Advanced技术测试和试商用。在TD-LTE方面,中国移动总裁李跃在2014年世界移动通信大会期间表示,中国移动始终追求“更快”,在TD-LTE的基础上,中国移动将推动TD-LTE Advanced的发展,在现在100Mbps的基础上要实现超过200Mbps、400Mbps甚至1Gbps的通讯速度。华为联合中国移动已完成TD-LTE-Advanced多项关键技术外场验证,为进一步提升TD-LTE网络的整体性能和用户体验打下了基础。

关键字:海思  TD-LTE终端芯片

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0520/article_33464.html
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