三星西安厂启动全球NAND Flash供需失衡恐加速

2014-05-14 00:07:43来源: DIGITIMES
   
日前三星电子(Samsung Electronics)位于西安的半导体工厂,终于举行了竣工仪式,同时宣布工厂正式进入运转,对于三星而言,大陆半导体事业布局,可说是向前迈出了一大步,但对于全球的NAND Flash市场供需平衡来说,挑战恐怕才正要开始。 
  
据Newstomato的报导,随着三星西安半导体工厂正式投入运转,不少人也开始担心,全球NAND Flash供需不均衡现象加速。包括三星电子在内,不少业者也开始增加NAND Flash产能。 
  
例如东芝(Toshiba)与新帝(SanDisk)合资建立的Fab 5工厂,以及美光(Micron)新加坡的Fab 7工厂等,皆将NAND Flash产能提升1.5~2倍的水准,不少业界人士指出,这恐怕将造成NAND Flash市场的供给过剩问题浮现。 
  
据市调业者IHS iSuppli最近的资料,指出以三星西安半导体厂投入的晶圆为基准;第2季为4.3万片、第3季成长至7.1万片,到了第4季则为13.2万片,从2015年开始,预估将快速飞跃成长至81万片的水准。 
  
不过,三星西安半导体工厂开始量产,并非是造成供给过剩的主因,东芝与美光的大量扩产,恐怕才是让供需进入不均衡的最大关键。 
  
预估2014年全球NAND Flash供应量,将较2013年的1,135万片,上升18%至1,342万片,推估2015年会进一步升至1,617万片。如以供需比来看,2013年供给仅达需求数的99%,但是到了2014年,供需比恐怕是101%,显示NAND Flash开始陷入供给过剩问题。 
  
东芝与美商快闪记忆卡大厂新帝,于日本三重县四日市合资的Fab 5工厂,在完成第二阶段的产线增设后,产量将从2013年的60万片,提升至2014年的111万片,产量提升率达85%。据了解,增设的工厂是导入16~17纳米制程,与目前东芝一般采用的19纳米制程不同。 
  
预估Fab 5工厂到了2015年,产量仍将持续提升,将是三星西安工厂81万片的2倍,预估投入晶圆高达165万片。另外,美光也大举投入NAND Flash的增产,位于新加坡的Fab 7工厂,除了将从DRAM生产转换至NAND Flash,也大幅提升产量,2013年投入晶圆数为95万片,2014年预估增为150万片。 
  
南韩半导体业界相关人士表示,尽管三星西安工厂的投资费用高达70亿美元,但还不至于左右全球的NAND Flash供给情况,随着东芝与美光大举增产,2014供需比将上升2%至101%,因此预估从第2季开始,NAND Flash价格下滑趋势,恐怕将愈来愈明显。


关键字:三星  西安厂  NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0514/article_33224.html
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