三星NAND Flash产能酝酿冲锋西安厂百亿美元投资效益将现

2014-04-15 06:48:52来源: DIGITIMES 关键字:三星  NAND  Flash
   
    三星电子(Samsung Electronics)在大陆西安半导体工厂即将于5月9日举行启用典礼,正式投入NAND Flash生产,不仅三星半导体事业营收可望出现较大幅度增长,由于三星西安半导体工厂比原先预期投入更多预算,最终投资额逼近100亿美元大关,凸显三星全力冲刺NAND Flash事业的企图心。
 
三星加码投资西安厂最大关键在于3D V-NAND,由于其被视为新一代存储器,随着市场需求扩大,三星积极投入生产,藉由扩大投资、提高生产规模,抢占3D V-NAND市场先机与主导权。 2013年三星成为全球第一家成功量产3D V-NAND的业者,若3D V-NAND价格能在短时间内快速下降,将有助于三星进一步拓展存储器市场。
 
根据南韩媒体引述业界消息指出,三星大陆西安NAND Flash工厂最终投资额高达100亿美元,可说是三星最大手笔的海外投资,当初三星原本规划这项投资的金额为70亿美元,后来又追加30亿美元,相当于三星2013年净利的3分之1。三星西安厂投入生产后,不仅可强化三星半导体事业营收,亦可改善目前三星过度偏重智能型手机事业的状况,改善公司整体营收结构。
 
三星西安厂最大产能为每月10.0万~12.5万片(12吋晶圆),设备投资约10兆韩元(96亿美元),至于三星位于南韩华城工厂的16产线,最大月产能20万片,设备投资规模约20兆韩元(192亿美元),目前三星华城工厂主要生产NAND Flash与3D V-NAND,由于大陆市场需求快速崛起,强化大陆NAND Flash产能已成为三星必然的选择。
 
2013年三星DRAM与NAND Flash事业营收分别为127亿与87亿美元,随着三星西安半导体工厂于5月9日举行启用典礼、正式投入生产,三星半导体事业营收将大幅增加,且自2014年起NAND Flash营收占比有机会上升。
 
另外,全球NAND Flash市场规模逐步扩大,尤其自2014年起在移动装置应用中,NAND Flash销售可望超越DRAM,意谓着半导体市场主角正慢慢从DRAM转换至NAND Flash。三星相关人士表示,由于NAND Flash市场前景乐观,若三星3D V-NAND能快速在市场攻城掠地,加上系统半导体业绩表现能获得改善,三星营业利益有机会再创佳绩。


关键字:三星  NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0415/article_32361.html
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