迎接10纳米DRAM时代确保技术是关键

2014-04-04 12:42:58来源: DIGITIMES
   
    据南韩电子新闻报导,存储器三强三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后,三大厂认为以25纳米制造DRAM已能创造充足的利润,因此相较于应用处理器(AP)和快闪存储器(NAND Flash),DRAM的微细制程技术发展较缓慢。
 
然而,三星将DRAM制程从25纳米转换到20纳米,再度点燃微细制程战火。 NAND Flash已跨入10纳米级制程,系统芯片也因鳍式场效电晶体(FinFET)技术发展,即将转进10纳米世代。领先业者间的微细制程技术研发竞争转为激烈,DRAM也可望迎来10纳米级制程时代。
 
20纳米制程不需要执行新投资也能利用既有的设备生产。三星已示范成功范例,SK海力士和美光也正在研发可不执行投资就能进行20纳米制程的技术。
 
未来DRAM市场的决胜关键,在于是否能跨入10纳米级制程。首先必须要突破曝光技术的瓶颈。目前双重微影技术(DPT)在20纳米制程已达上限。 DRAM业者为因应10纳米级制程,正在准备四重微影技术(QPT)。曝光制程虽然增加,但能采用既有的浸润式微影设备(Immersion Lithography)。长期而言,DRAM厂也将会引进极紫外线(EUV)曝光技术。
 
STT-MRAM技术引进后,电容器将改成磁隧道接点(Magnetic Tunneling Junction)结构。 DRAM微细制程技术越高度化,就越难形成电容器。电容器幅度缩减、长度越长。制程中电容器将影响DRAM的生产良率。
 
STT-MRAM的制程与DRAM制程相似度接近95%,可使用既有的设呗。三星为确保STT-MRAM技术,2011年时购并了Grandis。 SK海力士则与东芝(Toshiba)共同研发STT-MRAM。
 
使用矽穿孔技术的3D封装技术也对DRAM的竞争力造成不小影响。矽穿孔技术是在矽晶圆上穿出10㎛的小孔,并填入铜,以电力使上下片互相连接的技术。相较于过去的PoP封装技术,可缩减35%体积,耗电量也能缩减到一半,且传输速度快8倍以上。
 
南韩证券分析师指出,DRAM微细制程从30纳米级转入20纳米级时,高介电常数金属闸极(HKMG)和双重微影技术扮演了相当重要的角色。从20纳米转入10纳米级制程时,四重微影、STT-MRAM、矽穿孔等技术则将影响DRAM业者间的竞争力。 TOP▲


关键字:10纳米  DRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0404/article_32067.html
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