全球前十大半导体厂资本支出排行榜

2014-03-27 06:36:02来源: 工商时报
    2014年3月26日 06:48

全球前十大半导体厂资本支出一览
市调机构IC Insights发表全球半导体厂今年资本支出预估调查,三星、英特尔、台积电等3大厂仍是全球主要投资者,且3大厂今年资本支出就占全球资本支出总额的51.8%强。业界认为,先进制程的投资快速飙升,预估至10奈米世代时,可能只有前3大厂有能力进行大规模投资。

据统计,去年全球半导体厂资本支出总额达574.3亿美元,前10大厂占比达80%,至于前3大厂占比则高达55.5%,大者恒大的态势十分明确。今年全球半导体厂资本支出将达622.3亿元,年增率达8%,其中前10大厂占比再攀升至81%,前3大厂占比虽然降至51.8%,但仍然维持过半。

由前10大厂资本支出变化来看,去年仅有台积电、格罗方德(GlobalFoundries)、东芝、中芯等4家业者资本支出较前年增加,但今年除了三星之外,其余9家业者资本支出均高过去年水准,其中以新帝的资本支出年增率约达86%最高,主要是与东芝合资的NAND Flash厂将在今年下半年量产,且3D NAND也将开始加快研发脚步。

美光去年并购日本DRAM厂尔必达后,今年为了加速转进20奈米世代,并提高NAND Flash产能,所以预估今年资本支出将达30.5亿美元、年增率高达58%,是成长率第2高的业者。

业界人士认为,今年虽然有9家业者的资本支出超过10亿美元规模,但前3大厂与其它业者间的差距实在太大,如三星及英特尔资本支出今年仍超过110亿美元,台积电则略低于100亿美元,几乎是第10名中芯的年度支出的10倍以上。

当然前3大厂之所以会投入如此庞大资金,一来是为了提高产能,二来则是因为先进制程的微缩投资花费愈来愈高,如20奈米晶圆厂投资金额高达70亿美元,制程研发投资高达15亿美元,已经不是一般半导体厂玩得起的游戏。

业界认为,明年全球半导体厂将进入3D架构记忆体及电晶体新时代,但记忆体制程微缩带来的成本效益已然有效,业者投资金额不太可能再放大,至于逻辑IC因进入14/16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)世代,需要比20奈米投入更高资金进行扩产及研发,2017年进入10奈米世代后,看来只有三星、英特尔、台积电有能力进行大规模投资。



关键字:十大半导体厂资本支出

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0327/article_31804.html
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