南韩两大IC厂发展各异 三星专注NAND Flash、SK海力士致力DRAM

2014-03-04 22:32:25来源: DIGITIMES 关键字:南韩  两大IC厂
    南韩记忆体晶片市场双雄三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix),未来发展的道路将出现分歧。据南韩每日经济报导,三星的发展重心从DRAM逐渐往长期成长潜力较好的NAND Flash转移,SK海力士则更致力于发展最具优势的DRAM。
 
南韩业者表示,三星电子和乐金电子(LG Electronics)均是出自南韩的全球性半导体大厂,为避免在国外市场互相争夺,将各往较具优势的领域发展,对南韩也将带来正面影响。
 
三星器兴厂自2006年启用,15条产线均生产DRAM, 2011年启动的16产线则为NAND Flash专用产线。三星选择以建构新产线的方式取代维修老旧产线。
 
南韩半导体业者透露,以三星电子资本支出的趋势来看,便能推测三星电子的动向。三星电子虽然对DRAM持续执行投资,但对NAND较为关注。
 
2014年上半启用的大陆西安厂也将做为NAND专用产线。三星投资70亿美元打造西安厂,就是为了能优先对在大陆境内生产的行动装置供应NAND Flash。以2013年下半市占率来看,三星DRAM市占率为35%,NAND为37%,NAND比重较高。
 
另一方面,因要正式跨入NAND市场,需并行大规模投资和技术研发,因而SK海力士决定先专注发展DRAM。SK海力士内部人员表示,知道NAND成长潜力大,但目前仍将集中发展DRAM。
 
SK海力士在DRAM的全球市场占有率为28%,而NAND Flash为13%。
 
SK海力士M10厂和近来投产的F产线,都是DRAM生产厂,7月即将完工的M14厂,也以生产DRAM为主。SK海力士的大陆无锡厂,同为DRAM厂。
 
三星的半导体研发投资,以高效能NAND研发为主,SK海力士的投资则致力于推动DRAM微型化,正能显现两大厂的策略性选择。
 
三星将研发焦点放在3D垂直结构的V NAND,SK海力士则因应微细制程的发展,加速进行DRAM微型化。
 

关键字:南韩  两大IC厂

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0304/article_31159.html
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