联电追台积 28纳米将投片

2014-03-03 22:43:50来源: 经济日报 关键字:联电  台积  28纳米
    联电苦熬一年多的28纳米制程有重大突破,承接先进网通及高阶手机芯片的关键高介电常数金属闸极(HKMG)制程,已获全球第二大IC设计商博通(Broadcom)认证,第2季开始接单投片,营运出现大转机。
目前28纳米全球晶圆代工市场由台积电独霸,联电先前一度对28纳米进度保守,随着相关制程接单报捷,意味联电将可分食台积电28纳米制程商机,引爆晶圆双雄沈寂多时的高阶制程大战。由于28纳米毛利较高,有助联电本业大跃进。

联电高层证实28纳米HKMG制程良率近期显著提升,但不评论个别客户认证及接单进度。市场预期,未来包括高通联发科等更多28纳米制程设计的手机芯片,也会陆续转移部分订单至联电。

高通策略暨营运资深副总裁戴维森(Bill Davidson)日前与台湾媒体举行视讯记者会时便透露,高通采取更多元的代工来源是既定政策,当时的谈话便暗示一旦联电28纳米HKMG良率提升之后,高通将考虑对联电释单。

设备商透露,联电28纳米HKMG去年积极追赶台积电脚步,并采取以「T-Like」模式,争取成为台积电客户的第二供应来源,但进展不如预期,也使联电去年28纳米制程营收占比还只是低个位数。

联电近年因高阶制程进度落后台积电,基本面表现平平,上季仅小赚7亿余元,逼近损益两平;去年全年纯益126亿元、每股纯益1.01元。今年初联电执行长颜博文在法说会时,仍对28纳米HKMG制程进展持保守态度。


图/经济日报提供
 
法人指出,联电去年即已建置28纳米HKMG约1.5万片月产能,随着良率与接单传出喜讯,短期内仍难撼动台积电在28纳米的领先优势,但对联电而言,意义重大,本业将迎接转机。

尤其手机矽智财(IP)授权大厂安谋(ARM)主推28纳米制程架构平台,主攻中低阶智能型手机,获得高通和联发科、博通及迈威尔等手机芯片厂采用,预料第2季开始大量导入。联电28纳米HKMG适时切入28纳米需求爆发的时间点,搭配主力制程40纳米和高压特殊制程订单持续强劲,第2季营收将展现强劲爆发力。

联电上周四(27日)股价跌0.05元、收12.3元。

14纳米加速 缩短差距

【记者简永祥/台北报导】联电28纳米制程获得关键性突破,公司同步启动14纳米FinFET(鳍式场效晶体管)正式试产前的「风险试产线」建置作业,预计今年底进行风险性试产,明年下半年量产,希望能缩小与台积电的差距。

据了解,联电14纳米以下制程采取加入IBM技术开发联盟,与格罗方德及三星成为同一技术阵营。

联电去年即派出工程团队赴美国参与IBM技术联盟,并在南科设立研发中心,准备将14纳米制程导入在联电南科12A厂生产。

阅读秘书/HKMG制程

高介电常数金属闸极制程可以有效降低栅极电容,并能让晶体管缩小,容纳更多晶体管数,减少漏电并提升效能。

随着智能型手机追求更轻薄短小,手机应用处理器效能要求更强大、更省电,这项制程即成为承接手机芯片及可编辑逻元件主流技术,更被视为迈向鳍式场效电晶(FinFET)等3D架构的前期指标。 (简永祥)

关键字:联电  台积  28纳米

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0303/article_31087.html
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