新型MRAM及RRAM推出 带来存储器市场革命

2014-01-16 20:07:48来源: DIGITIMES
    新型态的晶片将推出,未来记忆体及储存器之间的界线,将越来越模糊,新晶片也已经远离利基应用产品的范畴,甚至能改变我们使用PC的方式。
PCWorld报导,最新型的晶片具有即时启动能力,在平板电脑很常见,但是拥有更高的性能。而分析师观察到,新固态储存(solid-state storage)技术的发展,有越来越重要的趋势,MRAM则是对非挥发(non-volatile)记忆体技术越来越重要,另一种抗阻记忆体(resistive RAM)也受到注意。
常规的记忆体晶片称为DRAM,每个储存单位储存了电荷1和0,但磁阻RAM使用1个电荷,电阻式RAM又称RRAM是基于两种材料制成的夹层,具有不同的阻力,构成了外层材料的中心层。
上述的这些新技术,都是实验室成品,并且已经产生应用,且有更多人使用。许多大型记忆体晶片制造商,已经开始转移至新技术。瑞萨电子(Renesas Electronics)、日立半导体(Hitachi High-Technologies)和美光(Micron Technology)是日本东北大学(Tohoku University)一个MRAM计划的主要参与者,而一家新创公司Crossbar则表示2014年8月将为RRAM申请专利。
在MRAM及RRAM两种技术能够代替DRAM之前,仍有许多工作要完成,此外分析师认为,新记忆体晶片的价格也需要调低。若厂商愿意降价,会有更多PC厂商将电脑内部插槽扩充或改装,以便装设新型晶片。
现今用户多半使用DRAM来跑程式及暂存系统及软体所需的数据,当电力不足时,DRAM的内容也会消失,但若使用MRAM或RRAM,即使电脑被关掉,还是有可能恢复到先前工作的某段时间。
平板电脑中常见的Flash Memory在关掉电力后,仍可储存之前的工作记忆,而新型晶片的记忆能力较快闪记忆体强大。Crossbar表示,RRAM将使PC书写速度增加20倍,少20倍的用电量,并较NAND Flash耐久10倍。
不过,好的记忆储存能力可能会带来一个问题,过去当电脑当机或程式发生问题时,用户多半会重开机,通常都是记忆体出现问题,所以关机重来即可,但未来若记忆体能够持续记忆更多东西,要开机重来恐非易事。因此,PC制造商得生产更为坚固牢靠的电脑,让重开机的机会减少,才能解决此问题。

关键字:新型MRAM  RRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0116/article_29799.html
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