联电携手ARM扩大28奈米布局

2014-01-15 21:09:30来源: DIGITIMES
    晶圆代工厂联电在28奈米制程上扩大布局,与ARM在14日联手宣布,由ARM将提供ARM Artisan实体IP平台和POP IP,使用在联电28奈米高效能低功耗HLP制程上,应用在各种行动装置、通讯、数位家庭等相关产品上,双方已签署正式协议。
联电旗下先进制程包括28奈米的布局,在2014年奋起直追,尽管外界对于联电28奈米制程的营收贡献看法不一,预计比重仍在10%以内,但内部期待甚深,至少可摆脱给外界先进制程落后的观感,也可与最大竞争对手GlobalFoundries一较高下,分食布局IC设计客户订单。


联电的28奈米制程正积极追赶,盼2014年的营收贡献能有所突破。李建梁摄
联电为了强化28奈米的布局,扩大与ARM合作,由ARM将提供ARM Artisan实体IP平台和POP IP,应用在联电28奈米高效能低功耗HLP制程上,领域包括各种行动装置如智慧型手机、平板电脑、无线通讯与数位家庭等相关产品上,提供先进制程及完整的实体IP平台,双方已签署协议。

联电目前28奈米技术蓝图规划分为Poly SiON与HKMG技术,Poly SiON属于低阶制程,台积电在2012和2013年几乎囊括多数市占率,HKMG技术是属于高阶制程,根据业界对于联电这两种制程进度的分析,预计上半年以Poly SiON为主,可打入高通(Qualcomm)、联发科等供应链,下半年再转进HKMG技术制程。

联电表示,28奈米包含双制程技术蓝图Poly SiON与HKMG技术,就功耗、效能与面积,28HLP是业界相当具竞争力的28奈米Poly SiON制程技术,协助行动与通讯产品客户加速新产品上市的时程,随着扩大和ARM合作,纳入ARM POP IP核心技术,可借此强化本公司28HLP平台,公司28HLP制程平台的目标效能可达1.2GHz,已在2013年12月正式问世,已在客户产品试产阶段,2014年初会开始量产。

ARM的POP IP技术可优化ARM处理器,包括针对特定ARM核心与制程调校的Artisan实体IP逻辑库与记忆体实例、提供详细条件和效能优化的基准报告,以及详细的POP实作知识与方法,目前POP IP产品支援40奈米至28奈米制程,并针对Cortex-A系列处理器与Mali图形处理器(GPU)推出FinFET制程的技术支援蓝图。

关键字:联电  ARM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2014/0115/article_29749.html
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