与FinFET相比 FDSOI成本过高优势不再

2013-12-26 11:55:14来源: 集微网 关键字:FinFET  FDSOI
   
@李健-芯片战争
相比FINFET的万众瞩目,FDSOI可以说变得有点默默无闻,记得当年胡正明教授对比两种技术时,认为FDSOI只有在性能上取得优于FINFET的表现才能获得更大的市场空间,但现在看,如果以成本效益计算,FDSOI并非没有自己的竞争优势,更关键的是,在智能手机AP领域,FDSOI的SoC早已量产,而FINFET的一直没出来。

→KINAMKIM:ST的FDSOI没有量产啊
→李健-芯片战争:量产了啊
→Promiser诺:回复@李健-芯片战争: 本来NovaThor要用到Nokia的lumia里面,后来Qualcomm和Microsoft要求windows phone只能用snapdragon就没量产
→Lyrix2013:FDSOI确实在速度上拼不过FINFET, 在low power市场还是有优势的,相信IBM的实力!
→柳山水:FDSOI小贵,虽然量产,但是用户群比较小,foundry方面估计只有ST和IBM玩得起。

关键字:FinFET  FDSOI

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/1226/article_29095.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:联发科8核平板芯片曝光?传代号MT8392
下一篇:Sequans采用MIPS Aptiv开发LTE产品

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
FinFET
FDSOI

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved