2017年20nm、16nm及以下的芯片先进工艺将成为主流

2013-12-15 13:09:53来源: 元器件交易网
    12月12日,工业和信息化部软件与集成电路促进中心(简称CSIP)主任邱善勤发布报告预测:到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流,这对我们设计业、制造业是一个很大的启示:我们怎么样适应全球先进工艺。

  当天,由CSIP、南京市经信委等共同举办的2013年中国集成电路产业促进大会在南京隆重召开,邱善勤在致辞中作出上述预测。

  邱善勤说:过去几年,我们比较先进的工艺还是保持在60nm、45nm,但是从2013年开始,28nm、32nm成为主流的先进工艺,特别是28nm,将每年保持高增长的态势。邱善勤预测:32nm、20nm是过渡型工艺,不是主流,到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流。

  邱善勤预测:TSV(硅通孔封装)预计从2014年开始要有大的采用,TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。这意味着一种新的工艺大量采用的情况下,芯片的集成度会越来越高,成本将逐渐下降。预计到2017年TSV将逐年加速增长,这一趋势的一个很大的启示:未来芯片将随着线宽越来越细,集成度越来越高。

  邱善勤预测:2013年上半年呈下降趋势,但到了下半年明显增长,预示著明后年行业高速增长。2014年将趋于稳定,预计2012-2017年整个行业设备采购支出的年增长率将达到5%左右,与整个行业的增长率(预测亦为5%)是一致性的。

关键字:2017  芯片  工艺

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/1215/article_28768.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
2017
芯片
工艺

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved