台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较

2013-11-20 10:34:49来源: ofweek
    前面说了一大堆,无非论证了,除了大家熟悉的xx纳米(线宽)越小制程越先进,评价目前半导体制程水平还有两点:Poly/SiON栅极和HKMG栅极的档次差距,以及如果同样是HKMG栅极的情况下,采用前栅极工艺(gate-first)和后栅极工艺(gate-last)对芯片在实际应用时的影响。

  这里再总结一下:

  (1)与poly/SiON相比,使用HKMG栅极,晶体管能做的更小,漏电也更少

  (2)在高性能/低功耗方面,使用后栅极工艺HKMG栅极的芯片较好

  可能大家会提到FinEFT即3D晶体管,这个是整个晶体管层面上的创新(三栅极晶体管),而之前我们讨论的、无论是关于HKMG栅极和poly/SiON栅极,还是gate-first/gate-last工艺,创新仅仅局限在传统晶体管的栅极上。考虑到目前只有Intel 一家实现了3D晶体管的大规模量产和实用,其他厂商完全与其不在一个档次上,而此文的主要目的是比较台积电、Globalfoundries、三星目前半导体制程工艺的优劣,所以就不再深究FinEFT的影响了。

  台积电28nm制程工艺分布情况

台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较

  台积电目前四种适应不同市场定位设备的28nm工艺,其中HP、HPL、HPM皆采用了HKMG栅极和后栅极工艺,而LP采用了poly/SiON栅极和前栅极工艺。所以,综合来看,HPM最好,LP最差。

  参照上图,性能方面HPM>HP>HPL>LP,漏电HPL<HPM<LP<HP。

  实用层面,高通MSM8960 Snapdragon S4使用的就是28nm LP工艺,而红米吹嘘的联发科四核芯片MT6589T也是台积电最差的28nm LP工艺。

台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较 

  HPM的实用典范则是高通的骁龙800。最近MTK(联发科)发展势头惊人,已经曝光的下一代四核芯片MT6588和八核芯片MT6592将采用台积电28nm级别综合最好的HPM工艺。

  英伟达A15核心的Tegra 4使用的是漏电最少的HPL,看来为了控制A15的功耗,英伟达也只有在制程工艺上弥补了。

  GlobalFoundries的28/32nm 制程工艺情况

台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较 

 

[1] [2]

关键字:台积电  Globalfoundries  三星

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/1120/article_27907.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
台积电
Globalfoundries
三星

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved