台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较

2013-11-20 10:34:49来源: ofweek
    前面说了一大堆,无非论证了,除了大家熟悉的xx纳米(线宽)越小制程越先进,评价目前半导体制程水平还有两点:Poly/SiON栅极和HKMG栅极的档次差距,以及如果同样是HKMG栅极的情况下,采用前栅极工艺(gate-first)和后栅极工艺(gate-last)对芯片在实际应用时的影响。

  这里再总结一下:

  (1)与poly/SiON相比,使用HKMG栅极,晶体管能做的更小,漏电也更少

  (2)在高性能/低功耗方面,使用后栅极工艺HKMG栅极的芯片较好

  可能大家会提到FinEFT即3D晶体管,这个是整个晶体管层面上的创新(三栅极晶体管),而之前我们讨论的、无论是关于HKMG栅极和poly/SiON栅极,还是gate-first/gate-last工艺,创新仅仅局限在传统晶体管的栅极上。考虑到目前只有Intel 一家实现了3D晶体管的大规模量产和实用,其他厂商完全与其不在一个档次上,而此文的主要目的是比较台积电、Globalfoundries、三星目前半导体制程工艺的优劣,所以就不再深究FinEFT的影响了。

  台积电28nm制程工艺分布情况

台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较

  台积电目前四种适应不同市场定位设备的28nm工艺,其中HP、HPL、HPM皆采用了HKMG栅极和后栅极工艺,而LP采用了poly/SiON栅极和前栅极工艺。所以,综合来看,HPM最好,LP最差。

  参照上图,性能方面HPM>HP>HPL>LP,漏电HPL<HPM<LP<HP。

  实用层面,高通MSM8960 Snapdragon S4使用的就是28nm LP工艺,而红米吹嘘的联发科四核芯片MT6589T也是台积电最差的28nm LP工艺。

台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较 

  HPM的实用典范则是高通的骁龙800。最近MTK(联发科)发展势头惊人,已经曝光的下一代四核芯片MT6588和八核芯片MT6592将采用台积电28nm级别综合最好的HPM工艺。

  英伟达A15核心的Tegra 4使用的是漏电最少的HPL,看来为了控制A15的功耗,英伟达也只有在制程工艺上弥补了。

  GlobalFoundries的28/32nm 制程工艺情况

台积电、格罗方德、三星半导体制程工艺优劣比较 

 

[1] [2]

关键字:台积电  Globalfoundries  三星

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/1120/article_27907.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
台积电
Globalfoundries
三星

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved