Hynix:无锡DRAM厂10月恢复,NAND Flash恐短缺

2013-09-15 04:00:18来源: 精实新闻
    韩国联合通讯社(Yonhap)、Thomson Reuters报导,全球第二大DRAM大厂SK hynix Inc. 13日宣布,遭祝融侵袭的无锡DRAM厂有望在10月起全面恢复正常运作,而该公司也会增加南韩厂房的DRAM产能来弥补损失的产量。
SK hynix表示,这项产能调整会导致NAND型快闪记忆体(NAND Flash)暂时陷入短缺。
SK Hynix甫于9月8日宣布,失火的无锡DRAM厂有一部份已在9月7日恢复运作。韩国时报(Korea Times)8日报导,SK Hynix无锡厂目前已有部份恢复运作,该厂主要生产智慧型手机、平板电脑专用的行动DRAM,包括中兴通讯(ZTE)、华为(Huawei)等中国大陆智慧机业者都向SK Hynix购买从无锡厂生产的DRAM。多个消息指出,无锡厂至少需要10天的时间才能恢复正常。

Sanford Bernstein资深分析师Mark C. Newman透过电子邮件表示,一般来说类似的事件会让DRAM价格上涨数个月,虽然整体影响还在评估中,但该证券认为这个意外恐导致全球供应量在未来1-3个月短缺3-12%。在最好的情况下,无锡厂会在1周内完全恢复,令全球供应量在9月份短少3%。
Thomson Reuters甫于9月6日引述未具名消息人士指出,SK Hynix的无锡厂很快就能重新启动,时间可能在2-3周之内、甚至有机会提前恢复,但这都仅是初步估计,到了下周情况应会变得更加明朗。该位不愿具名的人士表示,无锡厂受损情况轻微,损失的矽晶圆并不多,因为火势主要都集中在通风(ventilation)区域,包括无尘室在内的重要生产设施都未受影响。该名人士还说,SK Hynix目前约有2-3周的DRAM库存。

关键字:无锡  DRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0915/article_25776.html
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