三星推首款3D垂直NAND闪存技术SSD

2013-08-15 16:04:08来源: 腾讯数码

    在硬盘厂商之间的较量中,比拼的不仅仅是性能参数上的快速,对于推出新技术、新产品的速度也同样要追求一个“快”字。

    一周之前,三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间,同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。

    不过令人感到遗憾的是,目前采用新技术的SSD固态硬盘只有面向高等级企业推出的480GB和960GB两种版本的产品。也就是说,凭借V-NAND技术所带来的大容量及高可靠性来说正是非常适合高等级企业用户,对此新产品的推出已经具有了非常大的意义。

    三星公司在存储技术上一向处于世界领先地位,尤其是在NAND闪存芯片上的研究更是如此。3D Vertical NAND技术采用了不同于传统NAND闪存的排列方式,该芯片通过自家改进性Charge Trap Flash技术,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。

    此外,该芯片最高可堆叠24层,拓展能力是普通平面型闪存的两倍以上,且可靠性提升2至10倍,写入速度提升2倍。虽然首款量产型号仅为16GB,但是经过改进,未来最高出现单片存储空间为128GB的芯片并不遥远。

    同时三星还表示,3D Vertical NAND技术除了能够做到比20nm工艺的平面NAND提升2倍以上的容量以外,3D CTF拥有比10纳米工艺的Floating gate NAND多一倍的可靠性与性能提升。

    其实广大普通消费者无需过分失望,三星公司官方已经承诺表示未来一定会将拥有3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘产品推向普通消费级PC市场。因此我们完全可以相信大容量SSD固态硬盘时代的来领已经为期不远了。


关键字:三星  3D  NAND

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0815/article_24743.html
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