半浮栅晶体管面临生存挑战 政府应出台政策优化产业生态

2013-08-14 16:07:39来源: ofweek 关键字:半浮栅晶体管  芯片  微电子器件
    复旦大学研制的新型微电子器件——半浮栅晶体管(SFGT)如果能够尽快实现产业化,将可能给我国芯片生产企业带来很大的变化,至少改变20%到30%的芯片市场;但如果不能产业化,则将使中国企业白白流失一个掌握市场话语权的机会。当相关论文刊登在最新一期《科学》杂志上后,业界专家不约而同地表达了以上观点。

  成果优秀无关市场话语权

  “我们关注的不仅是技术的创新,更重要的是希望推动我国集成电路产业的发展。”这是张卫教授的话。半浮栅晶体管(SFGT)原型器件最初是在复旦大学的实验室中研制成功,现在,与标准CMOS工艺兼容的SFGT器件也已在国内生产线上成功制造出来。

  “这样的成果显然离产业化更近了一步。”上海集成电路研发中心总裁、华虹集团总工程师赵宇航博士称,这一成果最让人关注的,正是它已经走出实验室,走上生产线。

  尽管如此,SFGT要真正实现产业化,仍有很多的路要走。作为基础核心技术,SFGT必须要有合适的企业开发应用。如果中国企业能抓住这一机遇,很可能就能掌握市场的话语权;反之,就很可能又出现“我们出成果,国外拿技术和专利”的尴尬。

  这样的事情已有先例可循:目前用于太阳能发电储电设备的一个关键器件COOLMOS(超结金属氧化物半导体场效应晶体管)就是我国中国电子科技大学教授、中科院院士陈星弼在30多年前发明并申请专利的。但这一成果迟迟没有国内企业转化。很快,著名半导体企业德国英飞凌公司通过47次引用,在这一专利的周围形成了一个庞大的外围专利网。如今,我国太阳能企业要想使用这一产品或应用技术,都必须向英飞凌公司购买。不久前,陈星弼院士的专利失效。自始至终,中国企业完全没能把握住这个本来可以属于自己的机会。

  科学家们不希望SFGT重蹈覆辙。据了解,张卫教授的团队在半浮栅晶体管相关技术上已申请了10多项专利。如果国内企业不及时合作开发和跟进,很可能在论文发表后被国外大公司率先采用,或国外大公司迅速用延伸专利包围我们的核心专利,最终核心成果将不得不公开。因为如果坚持不公开,企业就无法使用,成果便失去了存在的意义;而如果公开,我国企业便要向国外购买他们所拥有的延伸专利,缴纳不菲的专利费。

  事实上,就在成果发表前一个月,已有一家国际知名集成电路企业的研发人员与张卫教授课题组联系,希望提供资助,并派高级研发人员到张卫团队做访问学者,合作开展集成电路研究。

[1] [2]

关键字:半浮栅晶体管  芯片  微电子器件

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0814/article_24709.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:科技巨头:要么转向专用计算,要么灭亡
下一篇:五大设备商上半年悲喜交加 华为超爱立信成半年第一

论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
半浮栅晶体管
芯片
微电子器件

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved