锁定大陆IC设计市场 台积/GF再掀28nm热斗

2013-08-12 22:05:14来源: 新电子
    台积电与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程战火将扩大延烧。中国大陆IC设计业者为抢进行动装置市场,纷纷投入28奈米晶片开发。瞄准此一商机,台积电与格罗方德均积极展开扩产,并致力强化技术支援能力,以争取大陆IC设计业者青睐。

台积电与格罗方德正积极抢攻中国大陆28奈米(nm)市场商机。随着28奈米晶圆量产技术成熟且价格日益亲民,中国大陆前五大IC设计业者正相继在新一代处理器方案导入该制程,刺激28奈米投片需求大增;因此,台积电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)在戮力推动下一代鳍式电晶体(FinFET)制程之余,亦不断扩充28奈米产能,并已分别祭出扩厂,以及与晶片商先期研发合作和保证产能供应的策略抢市。  
28奈米强劲需求撑腰 台积电卯足全力扩产

台积电在今年第二季法说会中宣布,将发动新一波扩产计划,加速台南Fab14厂五、六、七期扩建工程,以在2014?2015年加入28奈米以下制程量产行列;同时提出新一代超大晶圆厂(Giga-Fab)计划,将以空桥连接所有Fab14新旧厂,全面提高量产效率,以因应日益增长的28奈米处理器制造需求。  


图1    台积电董事长暨总执行长张忠谋强调,目前台积电在20奈米制程节点的发展上仍未看到强劲的竞争对手,可望延续28奈米的领先优势。
台积电董事长暨总执行长张忠谋(图1)表示,28奈米应用处理器在中高阶行动装置的渗透率正不断攀升,并逐步延伸至低阶产品应用领域,带动28奈米制程需求持续走扬,甚至未来几年仍将维持不错的成长,因而激励台积电加码扩产,以因应新客户导入28奈米制程的需求,同时也提前布局20、16奈米FinFET制程产能,进而巩固未来几年在晶圆代工市场的领先地位。  

事实上,台积电在今年第一季法说会中就指出全年将扩产三倍28奈米产能,近期又大手笔投资台南Fab14厂扩产计划,足见其对未来28奈米以下制程市场需求极具信心。  

据悉,该公司Fab14厂第五、六、七期新厂一一落成后,总占地面积将高达55万平方公尺,并将分别于2014年2月、5月和2015年4月加入量产行列,并将以空桥连结所有旧厂组成「New Giga-Fab」,大幅增进台积电在28奈米以下制程的接单、生产效率与成本控管能力。  

现阶段,台积电28奈米制程已占总营收29%,成为该公司营收贡献最高的制程节点。张忠谋进一步透露,与去年同期相比,今年上半年台积电在中国大陆取得的订单数量翻了一倍以上,其中即有不少新订单来自当地IC设计业者导入28奈米制程,足见28奈米方案不仅是国际晶片大厂在中高阶行动装置市场较劲的重要武器,在中国大陆IC设计业者专攻的低阶应用领域也逐渐走红,故今年下半年28奈米出货势将持续攀高。  

张忠谋强调,台积电未来除将维持28奈米晶圆产能和性价比优势外,亦将领先群雄在2014年第一季正式量产20奈米,预估今年28奈米营收将较去年成长三倍,而20奈米亦可望于明年第二季达到7?9%的总营收占比。至于2015年初则将跨入16奈米世代,并以FinFET结构在同样的功耗水准下,较20奈米方案提升20%以上效能,强化高阶处理器制程布局。  

相较于英特尔(Intel)在同一时间将今年资本支出调降10亿美元,台积电大动作扩产,且透露明年仍将维持与今年同样水位的资本支出金额,已引发业界对明年28奈米产能将过剩的疑虑。  

对此,张忠谋回应,低阶行动装置出货成长率非常惊人,若全面转搭28奈米处理器将引爆新一波庞大需求,不会有产能过剩问题,并将驱动高阶产品加速导入20和16奈米处理器;因此台积电抢先扩产的策略是走在对的道路上,从过去几年晶圆代工产业的发展来看,台积电往往早对手一步投资,才能持续坐稳晶圆代工龙头宝座。  

看好28奈米先进制程的市场需求将持续走强,格罗方德亦致力扩充28奈米产能,并与台积电不约而同加强在中国大陆晶片制造市场的布局,双方已呈现剑拔弩张的局面。  
冲刺28奈米市占 格罗方德拉拢陆IC商 
由于全球仅少数晶圆厂可提供28奈米产能,且多半已先被美系IC设计大厂包下,使中国大陆应用处理器业者发展受阻;因此,格罗方德遂透过先期研发合作及保证产能供应等策略,积极拉拢中国大陆晶片商,并已成功取得瑞芯微等客户的28奈米设计定案(Tape Out)。 


图2    格罗方德全球业务行销暨设计品质执行副总裁Mike Noonen认为,晶圆代工厂须扩大投资与合作,才能顺利迈进先进制程世代。
格罗方德全球业务行销暨设计品质执行副总裁Mike Noonen(图2)表示,中国大陆IC设计商近来研发能力明显攀升,甚至第一线大厂的技术实力与美系、台系晶片业者正快速拉近,引爆先进制程导入需求。不过,截至目前为止,28奈米制程供需仍有缺口,且中国大陆业者往往无法优先从台积电取得足够产能,因此纷纷转向寻求第二供应来源,激励格罗方德全力投入布局。 

由于中国大陆IC设计业者侧重本土品牌和白牌行动装置市场,对产品价格与上市速度极为要求,因此晶圆厂要抢到这块商机大饼,就须兼具量产速度、成本优势,以及完整且灵活的技术支援。 

格罗方德大中华区副总裁陈若中强调,对中国大陆晶片商而言,大多晶圆代工厂仅提供一体适用的先进制程服务,议价空间小且无法确保产能,将增加投资负担与风险;因此,格罗方德已革新经营模式,提出Foundry 2.0概念,透过早期研发合作及弹性调整的制程平台,满足中国大陆IC设计特殊需求,以拉拢更多客户。 

近期中国大陆前五大晶片商之一的瑞芯微,即从台积电(40奈米合作)转而与格罗方德合作,采用该公司28奈米高介电金属闸极(HKMG)制程,部署新一代多核心平板处理器。 

陈若中进一步透露,格罗方德与瑞芯微的合作计划早在2011年就已启动,系该公司正努力转型的Foundry 2.0经营模式最佳印证;目前格罗方德在该地区也还有几个先进制程合作案正在推动,未来可望为该公司的28奈米产线带来更多营收。 

Noonen则强调,Foundry 2.0经营模式可兼容整合元件制造商(IDM)和纯晶圆代工业者的优点,同时能与IC设计商在晶片开发初期即紧密配合,达成各种客制化功能要求,尤其对亟须先进制程技术和产能支援的中国大陆晶片商而言,此一生产计划将是减轻投资风险,并快速升级处理器规格的捷径,预期会有更多业者采纳,有助格罗方德持续扩张在中国大陆晶圆代工市场的占有率。 

陈若中补充,华为、中兴和联想等中国大陆品牌正以惊人的速度崛起,加上当地晶片商在白牌行动装置市场已打下厚实基础,预估2013?2016年将成为晶圆代工出货增长最大动力来源(图3),而该区域市场晶圆出货片数也将翻涨一倍,且产值年复合成长率(CAGR)将达到两位数的高成长表现。 


图3    2011∼2016年全球晶圆代工区域产值预估,大中华区成长将最为亮眼。 资料来源:格罗方德
除积极争抢中国大陆28奈米市占外,格罗方德和台积电亦已展开下一阶段的技术竞赛,双方将一前一后于2014~2015年启动14或16奈米FinFET制程量产,届时可望引爆更激烈的先进制程市场争夺战。


关键字:大陆IC设计

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0812/article_24612.html
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