ReRAM存储来袭:比闪存快20倍

2013-08-06 12:14:20来源: 雷锋网

    初创公司Crossbar近日发布了一款全新的ReRAM存储芯片。ReRAM一直被认为是未来闪存的替代方案,前者能在单块芯片上存储1T数据,存取速率比后者快20倍。如果这类芯片能够投入量产,将极大地冲击全球600亿美金的闪存市场。

    在很长一段时间内,闪存一直作为电子工业非常重要的基石——它的应用从iPhone、平板到数码相机等各式各类的数码电子——支撑起全球估值1.1万亿美金的消费市场。

    但Crossbar表示ReRAM(又称RRAM)的出现将引发移动、消费电子和联网设备的一系列创新。也正是因为这样的潜力,Crossbar目前已经从Kleiner Perkins Caufield & Byers,Artiman Ventures和Northern Light等多家VC募集到2500万美金的投资。

    Crossbar研发的芯片大致能在单片的规模上存下250小时的高清视频,并且芯片规格要小于闪存。其他的数据显示:ReRAM存储芯片的能耗是闪存的1/20,数据擦写上限是后者的10倍。

    ReRAM的数据存储实现更类似于改变材料本身的电阻而非直接存储电荷。当你对ReRAM的材料施加电流时,材料本身的电阻会发生改变——而电阻的状态可以作为“0”或者“1”而被读取。目前关于ReRAM的研究多数集中在材料的探索和电阻状态的读取上。

    George Minassian,Crossbar的CEO表示他们的设计特别之处在于,已经可以预见3年之内就会投入量产——他表示这项技术的量产并不困难。

    不过技术的新老交替面临的问题总是要有损既得利益者——尤其是当现有的技术达到了非常大的经济规模。闪存芯片的处理能力也许没有这么快,但如果芯片商们投入更多的资金和精力在现有设计的优化上,还是有可能将ReRAM绞杀在试验阶段的;同时量产时ReRAM的价格也是一个重要的因素。

关键字:ReRAM  闪存  RRAM

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0806/article_24416.html
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