工艺进步刺激主频战升级 ARM将出3GHz芯片

2013-07-10 10:23:59来源: 赛迪网 关键字:ARM

由于传统X86架构和ARM架构的竞争,处理器的工艺可谓是一年比一年先进,随着台积电、GlobalFoundries在2014年批量投产20nm工艺,ARM处理器在工艺上的被动局面将会有所缓解。目前由于28nm工艺的限制,无论是高通骁龙800,还是NVIDIA Tegra 4i,主频最高只能达到2.3GHz,A15架构的Tegra 4则只能达到1.8GHz。

台积电方面日前表示,在20nm工艺下,处理器主频可以提速30%,同时晶体管密度增加1.9倍,功耗则降低25%。这样的表态对于ARM处理器来说无疑是天大的好消息,仅靠工艺升级就能将主频提升到3GHz,同时还有更多可用的晶体管来添加新的功能模块。

功耗的降低还能带来更低的发热量和更长的电池续航时间。不过,这个降低25%只是指同频条件下,如果处理器主频真的达到3GHz,那实际上耗电量是在增加。

NVIDIA的下一代整合开普勒架构图形核心的Logan Tegra使用台积电20nm已成板上钉钉,A15架构的高功耗、高发热量难题也有望因此迎刃而解。PowerVR 6系列图形核心同样宣布了很久,恐怕也是现有工艺不足以支撑的缘故,估计等到20nm甚至16nm出现后,这种情况才能有所改变。

英特尔Atom即将转向22nm(AMD APU依然是28nm),这么看,明年将是ARM的工艺爆发年。不过,英特尔在新工艺加新架构的Atom带领下,目前仍可瞬秒ARM。再加上后年就会出推出14nm工艺,ARM的路还很长。

关键字:ARM

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0710/article_23529.html
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