NAND Flash产值 年增27%

2013-05-31 21:42:30来源: 集微网
    研调机构集邦指出,标准型记忆体今年首先出现价格反转契机,产值年成长可望大幅成长30%。NAND Flash也年增27.2%达257亿美元,需求位元成长率可达48.8%。

集邦指出,2013年的DRAM产业正进行大幅度的结构性调整,供需以及销售价格改善牵动产值缓慢复苏。除了企业之间进行整并与重整外,因应云端以及行动手持产品领域需求快速成长,DRAM供应商经营模式转向其他更高毛利的产品别,企业获利能力也因产品多角化(diversification)的程度而出现更大的差异。

展望2014年,由于厂商制程转进已经濒临物理极限,预计2014年2X奈米将成为主流制程,后续获利能力将取决于高附加价值的产品,以及下一个世代的堆叠技术(3D-IC, TSV),单纯供给位元成长已退居为次要的获利指标。

由于制程持续微缩的难度大幅增高,在EUV(Extreme ultraviolet lithography)机台尚未齐备的前提下,DRAM产业未来数年的展望将可望延续2013年度缓慢复苏的态势,过往价格端大起大落的巨幅波动将成为历史。

NAND Flash方面,智慧型手机、平板电脑与Ultrabook销售佳绩带动NAND Flash内嵌式应用eMMC与SSD出货动能,加上NAND Flash供应商今年多数暂缓产能扩充以及节制产出,大幅改善产业的供给与需求状况,NAND Flash价格走势也稳定许多。

因此,2013年NAND Flash整体产值将在需求持续成长以及ASP跌幅收敛的利多下,较2012年大幅成长27.2%来到257亿美元,需求位元成长率可达到48.8%。

从需求面来看,集邦预估,2013年整体智慧型手机规模将上看9亿3500万只,较2012年年增38%,平板电脑市场也在各家业者持续推出多元化的产品与白牌平板的兴起,2013年出货量将达到 2亿台,将超越笔记型电脑的市场规模。

此外,随着智慧型手机功能与硬体规格逐步提升,加上消费者对于产品效能与多媒体影音要求也日益增加,愈来愈多中低阶手机也搭载eMMC有助于推升eMMC渗透率,eMMC的高速发展将持续扮演整体NAND Flash需求端的成长引擎。

从供给端来看,2013年NAND Flash供应商资本支出与产能扩张计划显得相对保守,绝大多数增加的产出来自于制程转进,由于eMMC与SSD对于产品效能与可靠性的要求较高,预期今年20奈米产品比重将依旧维持70%以上,更为先进的制程技术应用预期发酵时间点将落在明年。因此今年产出有限情况下,整体产出位元年成长率将仅有41.5%。

集邦进一步表示,2014年三星半导体挟其高度垂直整合的企业结构囊括DRAM一半市占的态势将维持不变,行动式记忆体事业将更受惠于其自有品牌的智慧型手机出货而可望进一步提升营业利益。

美商美光半导体与日商尔必达正式合并以后,不论是产能或是产品组合都能够与位居第二的韩系厂SK Hynix一较高下,除了固有标准型记忆体以外,随着隶属行动式记忆体产品类别的eMCP日趋普及,快闪记忆体NAND FLASH技术将成为竞争胜出的关键。

关键字:NAND  Flash

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0531/article_22345.html
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