东芝将开始量产新一代NAND闪存

2013-05-22 13:41:57来源: EEWORLD 关键字:东芝  NAND  闪存

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今日宣布,该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术,该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。

东芝已经使用该新一代技术开发出全球最小的*每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片,芯片面积只有94平方毫米。新一代芯片采用了独特的高速写入方法,写入速度可高达25兆字节/秒—是全球速度最快的*每单元2比特芯片。

东芝还在利用该工艺技术开发每单元3比特芯片,并计划在本财年第二季度投入量产。该公司最初将通过开发一种与eMMC兼容的控制器,为智能手机和平板电脑推出3比特的多级单元产品,随后会通过开发与固态硬盘(SSD)兼容的控制器,将产品的应用范围扩大到笔记本电脑领域。

NAND闪存是存储卡、智能手机、平板电脑和笔记本电脑等多元化消费品系列的基本构成元素,并越来越多地被部署到企业产品中,包括数据中心的固态硬盘。展望未来,东芝将继续推进产品创新与开发,成为市场中一家能够应对各种客户需求的领先公司。

 

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编辑:陈盛锋 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0522/article_22059.html
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