东芝将开始量产新一代NAND闪存

2013-05-22 13:41:57来源: EEWORLD

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今日宣布,该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术,该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。

东芝已经使用该新一代技术开发出全球最小的*每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片,芯片面积只有94平方毫米。新一代芯片采用了独特的高速写入方法,写入速度可高达25兆字节/秒—是全球速度最快的*每单元2比特芯片。

东芝还在利用该工艺技术开发每单元3比特芯片,并计划在本财年第二季度投入量产。该公司最初将通过开发一种与eMMC兼容的控制器,为智能手机和平板电脑推出3比特的多级单元产品,随后会通过开发与固态硬盘(SSD)兼容的控制器,将产品的应用范围扩大到笔记本电脑领域。

NAND闪存是存储卡、智能手机、平板电脑和笔记本电脑等多元化消费品系列的基本构成元素,并越来越多地被部署到企业产品中,包括数据中心的固态硬盘。展望未来,东芝将继续推进产品创新与开发,成为市场中一家能够应对各种客户需求的领先公司。

 

关键字:东芝  NAND  闪存

编辑:陈盛锋 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0522/article_22059.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
东芝
NAND
闪存

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved