2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守

2013-05-09 23:49:17来源: DIGITIMES

    扣除2家IC设计业者,2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、台积电、德州仪器(Texas Instruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半导体(STMicroelectronics)。观察2012~2013年主要半导体大厂资本支出变化,英特尔与台积电均将较2012年增加,三星电子、东芝可望持平,SK海力士将较2012年减少,至于采轻晶圆厂策略的瑞萨电子、德州仪器及意法半导体2013年仍将维持在低资本支出水位。

2013年英特尔资本支出将较2012年增加18.2%,达130亿美元,除持续提升22奈米制程占产能比重外,亦将投入18寸晶圆与14、10、7、5奈米等更先进制程研发,以生产效能更佳的处理器。

三星电子半导体事业资本支出自2009年仅32亿美元持续增加至2012年123亿美元,已连续3年成长,然2013年预估将小幅减少至120亿美元,其记忆体事业投资重点包括持续提升DRAM 28奈米制程占产能比重、续建大陆西安NAND Flash新厂,及推动NAND Flash朝21、16奈米制程迈进,而系统IC事业则将以扩充德州奥斯丁厂产能,及重启南韩华城厂第17产线兴建计划为主。

2013年台积电资本支出将自2012年83亿美元增加至95亿~100亿美元,主要将用于布建28、20及16奈米制程产能。日厂东芝2013年资本支出可望持平在20亿美元,主要将用于投入NAND Flash 1y奈米制程研发。

SK海力士资本支出自2009年仅8亿美元持续增加至2012年35亿美元,呈现连续3年成长态势,然2013年预计将减少至26亿美元。2013年SK海力士不仅将推动其DRAM自35奈米升级至28奈米制程,NAND Flash自27奈米升级21奈米制程,更计划于其晶圆代工产线切入更高阶晶片生产。

另外,韩厂三星与SK海力士虽2013年半导体事业资本支出均将较2012年减少,主要用于先进制程产能的布建,但对于透过购并公司以布局半导体相关技术的态度将更加积极,此透露出南韩半导体厂商渐不局限于仅投资在设备或厂房,更重视半导体元件技术布局的完整性。

SK海力士于全球半导体生产据点分布
4859" target=_blank>
资料来源:SK海力士,DIGITIMES整理,2013/4

关键字:三星  SK海力士

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0509/article_21843.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星
SK海力士

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved