格罗方德呛声台积 后年推10纳米制程

2013-04-25 22:48:54来源: 经济日报
    晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(Subi Kengeri)昨(24)日来台,喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头,继14纳米XM明年量产,10纳米2015年推出,此进度比台积电领先两年,也比英特尔2016年投入研发还领先一年。

格罗方德2009年由美商超微独立而出,2010年并购前特许半导体,苏比表示,2009年刚独立时,公司仅是全球第四大晶圆代工厂,但凭着超微在处理器技术的设计能力,加上先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验,IC Insights统计,2012年公司跃进晶圆二哥,与台积电同列晶圆双雄。

公司企图不只于此,苏比看好行动装置电子产品内建芯片对晶圆先进制程的需求有高度成长,2011年到2016年,40纳米以下先进制程的晶圆复合成长率有37%,到2016年产值将占全球晶圆代工比重高达60%。

为了抢攻这波行动商机,格罗方德去年推出14纳米XM制程、2014年量产后,10纳米2015年量产,两种制程都导入鳍式晶体管(Finfet)。

格罗方德的10纳米与14纳米XM都是所谓的混合制程,例如14 纳米就是采用20纳米的设备与设计工具做出线宽14纳米的芯片,10纳米就是运用14纳米的设备与设计工具,制造线宽约当10纳米的芯片。

相较于台积电不做14纳米制程,而是推出16纳米Finfet,苏比说明,公司之所以作14纳米,因为英特尔不断进军行动市场,公司的客户感受到压力。

格罗方德预计20纳米下半年推出,与台积电几乎同步,公司12寸产能有德国德勒斯登的晶圆一厂(Fab1)与纽约八厂(Fab8),各有4万片与6万片月产能,其中,Fab8将导入28纳米以下最先进制程。

关键字:格罗方德  10纳米制

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0425/article_21444.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved