成本/尺寸超优 CMOS RF接收器全速崛起

2013-04-24 22:09:18来源: 新电子
   CMOS射频(RF)元件壮大发展声势。CMOS RF藉矽材料/制程成本低、产能充足等优势,持续瓜分传统砷化镓(GaAs)、矽锗(SiGe)RF市占;近期,芯科实验室(Silicon Labs)更发动新一波市场攻势,率先推出CMOS RF数位接收器单晶片,提供媲美传统RF元件的效能,并减轻数位无线电(Digital Radio)系统占位空间及物料成本,有助CMOS RF阵营持续扩张势力。

芯科实验室副总裁暨广播产品总经理James Stanberry提到,处理器整合CMOS RF的设计备受期待,但因大量数位杂讯将影响RF效能,仍须3~5年发展才可望实现。
芯科实验室副总裁暨广播产品总经理James Stanberry表示,数位无线电科技可大幅提升广播音讯品质并传送更多资讯予使用者,将开启广播事业新视野,然而,相关系统仍受制于零组件用量庞大、高成本及高耗电等RF设计问题,而延宕市场发展脚步。为改善此弊病,借重互补式金属氧化物半导体(CMOS)RF的功能特色与生产优势已是业界共同努力目标。

其中,芯科实验室日前已利用CMOS RF与软体定义无线电(SDR)技术,抢先业界发布新一代数位接收器单晶片,透过整合低杂讯放大器(LNA)、低压差线性稳压器(LDO)、自动增益控制(AGC)和数位讯号处理器(DSP)等大量零组件,可在不损及RF性能与效率的前提下,大幅改进体积与功耗。此外,还可透过SDR功能完整支援调频(FM)、高音质广播(HD Radio)和数位音讯广播(DAB)/DAB+等标准,全面提升RF系统价值,以加速数位无线电应用普及。

Stanberry指出,由于CMOS技术能提高RF周边元件整合度,将使消费性电子、行动装置内部RF系统减轻物料清单(BOM)成本及耗电量。以RF数位接收器为例,CMOS RF单晶片较传统两块印刷电路板(PCB)分离式RF设计,大幅缩减80%占位空间及50%以上成本;同时还能结合各种类比元件与数位校正机制,优化RF高频效率、动态电压范围和抗杂讯能力,补强CMOS制程材料先天特性不佳的缺陷。

事实上,CMOS制程不仅可降低RF元件生产难度,在扩产方面也相对材料特殊的砷化镓方案容易,甚至能与基频处理器、记忆体等元件整合为单一系统单晶片(SoC),因而被视为RF产业新星。

Stanberry强调,随着消费性电子、行动装置支援更多无线功能、体积与厚度不断缩小且出货量急遽扩大,其内部RF系统设计成本及尺寸也须持续微缩,且要有充备的产能才能满足市场要求。也因此,近来各种消费性或可携式电子导入CMOS RF的需求已显著攀升,包括电视调谐器(TV Tuner)、AM/FM发射器与接收器等均快速转向CMOS RF设计。未来CMOS RF应用更将持续往无线区域网路(Wi-Fi)、3G/4G功率放大器(PA)迈进,抢占更多行动装置RF设计商机。

关键字:CMOS  RF接收器

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0424/article_21400.html
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