台积电放话 2017追上英特尔

2013-04-23 21:02:36来源: 工商时报
    台积电共同营运长蒋尚义昨(22)日表示,台积电由20纳米跨入16纳米制程微缩时间确定缩短1年,即2015年将提前量产3D晶体管架构的16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程。为了满足客户需求,台积电已决定加快研发脚步,「希望10纳米世代就能全面赶上英特尔」,时间点就落在2017年。

     台积电董事长张忠谋在日前法说会中宣布,今年资本支出拉高至95~100亿美元,且16纳米FinFET制程要提前一年量产。主掌台积电技术研发的蒋尚义昨天则说明,加快16纳米量产,是因为客户对此有强烈需求。

     蒋尚义表示,台积电明年开始进入20纳米单芯片(SoC)制程量产,16纳米FinFET制程理论上应该是20纳米量产的2年后才会导入,不过,这只是特例而非常态,主要是英特尔已成为台积电的间接竞争对手。

     蒋尚义表示,过去英特尔要生产处理器,所以半导体制程一直是最先进的,但现在英特尔抢进行动装置市场,台积电很多客户都开始要跟英特尔竞争,也因此,客户要台积电加快研发速度,台积电当然从善如流,加快制程的微缩时程,才不会让客户失去竞争力。

     根据台积电目前规划,2014年开始导入20纳米SoC制程量产,2015年导入16纳米FinFET制程量产,但后续的10纳米量产时间,仍将在16纳米量产之后2年才会导入,也就是2017年台积电将进入10纳米世代,且可望首度采用先进的极紫外光(EUV)微影技术。

     蒋尚义表示,为了满足客户对先进制程的需求,台积电已集结了开放创新平台(OIP)中的各供应商,投入庞大资源加速制程推进速度,「希望10纳米世代就能全面赶上英特尔」。

     英特尔的制程推进仍依循摩尔定律,2014年14纳米将进入量产阶段,2016年后则导入10纳米量产,由此来看,若台积电能在2015年以10纳米量产投片,的确已追赶上英特尔。

     台积电及英特尔均参加了微影设备大厂艾司摩尔(ASML)的「客户联合投资专案」,共同开发EUV微影技术,近期研发上已有所突破。ASML指出,EUV光源功率已提升到55W,每小时可处理43片晶圆,10纳米世代可望开始导入EUV技术。

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编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0423/article_21335.html
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