迎战三星、英特尔 台积制程飙速

2013-04-15 20:08:04来源: 工商时报 关键字:三星  英特尔  台积
    晶圆代工龙头台积电本周四(18日)将召开法说会,上周于美国圣荷西(San Jose)举办的2013年技术论坛中,却意外宣示包括16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)、极紫外光(EUV)等新技术研发及投产进度全部往前拉。

     业界认为,台积电将新技术投产进度时程全面提前,除了新技术研发有所突破外,另一战略考量,即是为了迎战声势如日中天的韩国三星,以及即将由薄纱后走到台前的英特尔

     今年是台积电倾全力拉高28纳米产能的一年,原本规划明年才开始拉升20纳米产能,但20纳米量产时间点可望提前至今年底开始。台积电在竹科12寸厂Fab12、南科12寸厂Fab14,已有20个20纳米芯片完成设计定案(tape-out),且多数为新一代ARM Cortex A15处理器核心的芯片。业界人士指出,当中自然包括了苹果下一代A7处理器。

     台积电原本2015年后才真正进入16纳米FinFET世代,但现在已经确定今年底开始试产第一片16纳米FinFET制程晶圆,应是投产首颗64位元ARM Cortex-A57架构及ARMv8指令集设计芯片。

     由此来看,明年台积电就会进入16纳米FinFET世代,比原本预期早了一年。台积电虽然与英特尔、三星等共同加入了微影设备大厂荷商艾司摩尔(ASML)的「客户联合投资专案」,但去年底时,仍认为EUV技术尚未成熟,16纳米及10纳米仍会用到多重曝光浸润式(Multi-Patterning Immersion)微影技术,7纳米后才会进入EUV世代,约在2016~2017年。

     不过,台积电指出,首片采用EUV微影投片的10纳米晶圆,可望在2015年底开始投产出货。虽然台积电仍在评估电子束微影(e-beam)可行性,但由此来看,台积电EUV制程将提前1~2年时间进入生产阶段。

     台积电将20纳米SoC制程、16纳米FinFET制程、EUV微影制程等生产时程全面往前拉,原本预估今年90亿美元资本支出显然不足,外资分析师均认为,台积电今年资本支出拉高到100亿美元已无可避免,明年可能还会拉高到100亿美元以上,才能将先进制程投产时间点顺利提前。

关键字:三星  英特尔  台积

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0415/article_21073.html
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