存储器价格走势 Q2恐不同调:DRAM续扬,NAND Flash恐转疲软

2013-04-08 20:15:53来源: 集微网 关键字:存储器  DRAM
    记忆体第1季价格同步攀高,第2季价格走势恐不同调;DRAM可望续扬,NAND Flash则恐转趋疲软。

受惠供应商减产,加上平板电脑及智慧手机市场需求强劲,带动包括动态随机存取记忆体(DRAM)与储存型快闪记忆体(NAND Flash)第1季产品价格连袂走扬。

根据市调机构集邦科技调查,第1季DDR3 2Gb颗粒合约均价自0.83美元,攀高至1.31美元,大涨57.8%;DDR3 4GB模组合约均价也自15.75美元,攀高至23.5美元,上涨49.2%。

NAND Flash方面,第1季32Gb MLC颗粒合约均价自2.47美元,攀高至2.96美元,涨幅高达19.8%;高容量的128Gb MLC与TLC颗粒合约均价则上涨约1%。

随着记忆体产品价格走扬,包括DRAM制造厂及记忆体模组厂第1季营运同步好转;其中,华亚科3月顺利单月转亏为盈,税后净利达新台币11.25亿元,每股纯益约0.21元。

华亚科第1季虽然持续亏损,不过,税后净损仅6.13亿元,亏损金额较去年第4季大幅减少83.5%,每股亏损约0.11元。

记忆体模组厂威刚第1季合并营收达76.41亿元,较去年第4季成长6.14%,也较去年同期成长7.98%。

另一记忆体模组厂创见及记忆体控制晶片厂群联也同时看好,第1季毛利率应可较去年第4季攀升。

展望未来,尽管第2季将步入个人电脑传统淡季,不过,威刚看好,第2季DRAM市场景气仍可望淡季不淡。

集邦科技也预期,在中国大陆白牌平板电脑市场需求持续强劲,加上供给端又没有显著增加,未来DRAM价格仍可望持续攀高,旺季时DDR3 4GB模组价格不排除有机会挑战30美元,即还有3成涨价空间。

法人看好,华亚科第2季营运可望进一步好转,应可单季转亏为盈;DRAM制造厂南科营运也将同步好转。

集邦科技对第2季NAND Flash价格走势看法则相对保守。

集邦表示,64Gb与128Gb高容量MLC颗粒出海口为代工厂嵌入式记忆体(eMMC)与固态硬碟(SSD)应用,因大部分智慧手机及平板电脑等新机多于6月上市,第2季恐将难以避免受到淡季效应影响。

集邦预期,第2季高容量NAND Flash合约价走势恐将转趋疲软;不过,低容量NAND Flash因供给持续减少,价格则可望相对平稳。

群联也预期,NAND Flash价格将于4月中达到高峰,4月底出现修正;但是修正幅度应不会大,修正后产品价格将可趋于平稳。

不过,南韩为全球DRAM与NAND Flash最大供应国,南北韩情势发展势将牵动后续记忆体市场供给及产品价格走势,值得密切追踪观察。

关键字:存储器  DRAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0408/article_20854.html
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