日立中研发表SiC JFET研发成果

2013-04-04 23:26:20来源: 技术在线
   
    日立制作所中央研究所(以下简称日立中研)在2013年3月27~30日举行的“日本第60届应用物理学会春季学术研究会”的“SiC功率电子技术的最前沿”会议上,就该公司正在开发的SiC JFET发表了演讲。SiC功率晶体管除了JFET之外还有MOSFET。与SiC MOSFET相比,SiC JFET具有多项优点,比如迁移率高、导通电阻小、没有MOSFET那样的氧化膜,因此不会发生氧化膜导致的可靠性问题,等等。

       普通SiC JFET即使不向极施加电压也会导通,为“常开工作”。因此,在提高电源电路的安全性时,需要使JFET本身常闭,或者串联常闭工作的Si MOSFET。第一种方法虽然不需要Si MOSFET,但存在栅极泄漏电流大、阈值电压低,以及需要高精度的专用驱动电路等课题。

       而第二种方法具有可利用常闭JFET以及原来的Si功率元件用驱动电路的优点。但同时也存在需要Si MOSFET这一外置部件,以及工作温度由Si MOSFET决定的课题。两者各有利弊,目前接近产品水平的是第二种方式。

       在演讲中,日立中研介绍了试制的两种SiC JFET。一种为常闭工作型产品,耐压在700V以上,导通电阻在室温下为27mΩ,在125℃下为38mΩ。单元间距为2μm,有源区域为3.9mm见方。在沟道实施局部掺杂,在降低沟道电阻的同时确保了耐压。

       另一种是常开工作型产品。试制了串联Si MOSFET、将两块芯片封装到一个TO-3P封装内的产品。耐压为783V,室温下的导通电阻为69mΩ。JFET芯片尺寸为2.5mm见方。Si MOSFET的耐压为60V,导通电阻为8mΩ。(记者:根津 祯,《日经电子》)

关键字:日立  JFET

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/xfdz/2013/0404/article_20764.html
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